[发明专利]显示面板及显示装置

说明书

本发明公开了一种显示面板及显示装置。该显示面板包括薄膜晶体管；该显示面板还包括基板、第一金属层、有源层、间隔层以及第二金属层；第一金属层设置于基板上，并包括薄膜晶体管的栅极；有源层设置于第一金属层远离基板的一侧，并包括薄膜晶体管的有源部，有源部设置于栅极远离基板的一侧；间隔层设置于有源层远离第一金属层的一侧，并包括多个接触孔；第二金属层设置于间隔层远离有源层的一侧，并包括薄膜晶体管的源极和漏极，且源极、漏极皆穿过接触孔与有源部搭接；其中，栅极在基板上的正投影覆盖至少部分接触孔在基板上的正投影。本发明可以减小薄膜晶体管产生的光生漏电流，并提高源极、漏极与有源部的搭接良率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及具有该显示面板的显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)是目前液晶显示装置(LiquidCrystal Display，简称LCD)和有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置(ActiveMatrix/Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。制备薄膜晶体管的有源层的材料有多种，低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，简称LTPS)材料是其中较为优选的一种，由于低温多晶硅的原子规则排列，载流子迁移率高，对电压驱动式的液晶显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管由于其具有较高的迁移率，可以使用体积较小的薄膜晶体管实现对液晶分子的偏转驱动，在很大程度上缩小了薄膜晶体管所占的体积，增加透光面积，得到更高的亮度和解析度；对于电流驱动式的有源矩阵驱动式有机电致发光显示装置而言，低温多晶硅薄膜晶体管可以更好的满足驱动电流要求。

目前，薄膜晶体管包括底栅型晶体管和顶栅型晶体管，而相较于顶栅型晶体管，底栅型晶体管在有源层的掺杂工艺中可以节省光罩，且底栅极位于有源层下方，可以节省遮光层的制备，进一步节省光罩和成本，但是，由于底栅极常对应有源层的沟道区域进行设置，进而底栅极对于有源层背侧光线的遮挡作用有限，难以保证底栅型晶体管的稳定性。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及显示装置，能够提高第一栅极和第二栅极对于光线的遮挡作用，提高第一晶体管和第二晶体管的稳定性。

本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括薄膜晶体管；

所述显示面板还包括：

基板；

第一金属层，设置于所述基板上，并包括所述薄膜晶体管的栅极；

有源层，设置于所述第一金属层远离所述基板的一侧，并包括所述薄膜晶体管的有源部，所述有源部设置于所述栅极远离所述基板的一侧；

间隔层，设置于所述有源层远离所述第一金属层的一侧，并包括多个接触孔；

第二金属层，设置于所述间隔层远离所述有源层的一侧，并包括所述薄膜晶体管的源极和漏极，且所述源极、所述漏极皆穿过所述接触孔与所述有源部搭接；

其中，所述栅极在所述基板上的正投影覆盖至少部分所述接触孔在所述基板上的正投影。

在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括显示区，所述薄膜晶体管包括设置于所述显示区内的第一晶体管；

所述第一金属层包括所述第一晶体管的第一栅极，所述有源层包括所述第一晶体管的第一有源部，所述第二金属层包括所述第一晶体管的第一源极和第一漏极，所述第一有源部位于所述第一栅极远离所述基板的一侧，多个所述接触孔包括第一接触孔和第二接触孔，所述第一源极穿过所述第一接触孔与所述第一有源部搭接，所述第一漏极穿过所述第二接触孔与所述第一有源部搭接；

其中，所述第一接触孔在所述基板上的正投影、所述第二接触孔在所述基板上的正投影皆位于所述第一栅极在所述基板上的正投影的覆盖范围以内。