[发明专利]防溢硅涂料、涂层及单晶炉有效
| 申请号： | 202211144681.X | 申请日： | 2022-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN115449242B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 杨宇昂;向鹏;熊波 | 申请（专利权）人： | 晶科能源股份有限公司;四川晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | C09D1/00 | 分类号： | C09D1/00;C09D5/00;C09D7/20;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 334100 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防溢硅 涂料 涂层 单晶炉 | ||
1.一种防溢硅涂料，其特征在于，所述防溢硅涂料按重量包括：
100份的保护组分和200份的有机溶剂；所述保护组分溶于所述有机溶剂中；
其中，所述保护组分包括：
40-50份的碳化硅粉、5-15份的硅粉、25-35份的树脂和5-10份的固化剂；
所述碳化硅粉中的晶体结构为α-SiC；
所述有机溶剂包括醇类有机溶剂，或，苯类有机溶剂。
2.根据权利要求1所述的防溢硅涂料，其特征在于，所述碳化硅粉的占比为50份。
3.根据权利要求1所述的防溢硅涂料，其特征在于，所述硅粉的占比为10份。
4.一种防溢硅涂层，其特征在于，所述防溢硅涂层由如权利要求1-3任一项所述的防溢硅涂料干燥而成。
5.根据权利要求4所述的防溢硅涂层，其特征在于，所述防溢硅涂层的厚度为100-150微米。
6.根据权利要求4所述的防溢硅涂层，其特征在于，所述防溢硅涂层的覆盖面积不小于2平方米。
7.一种单晶炉，其特征在于，所述单晶炉包括单晶炉腔体，所述单晶炉腔体的内部涂覆有如权利要求1-3任一项所述的防溢硅涂料。
8.根据权利要求7所述的单晶炉，其特征在于，所述单晶炉腔体的底部涂覆有所述防溢硅涂料。
9.根据权利要求8所述的单晶炉，其特征在于，所述单晶炉腔体的侧壁涂覆有所述防溢硅涂料，所述单晶炉腔体的侧壁涂覆的所述防溢硅涂料由所述单晶炉腔体的底部向上延伸，且高度不小于所述单晶炉腔体高度的1/2。
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