[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一绝缘层；

刻蚀所述第一绝缘层及所述衬底，形成第一沟槽；

形成介质层，所述介质层填充所述第一沟槽；

对位于所述第一沟槽内的所述介质层执行刻蚀工艺，使所述介质层的上表面与所述第一绝缘层的底表面具有一预设高度差；

去除所述第一绝缘层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述预设高度差的范围在0至10nm之间。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，对位于所述第一沟槽内的所述介质层执行刻蚀工艺，使所述介质层的上表面与所述第一绝缘层的底表面具有一预设高度差，包括：

刻蚀位于所述第一沟槽内的所述介质层；

测量所述介质层的上表面和所述第一绝缘层的底表面的高度差；

若所述高度差在所述预设高度差的取值范围内，所述刻蚀工艺结束；

若所述介质层的上表面高于所述第一绝缘层的底表面，且所述介质层的上表面与所述第一绝缘层的底表面的高度差超出所述预设高度差的取值范围，则再次执行刻蚀以及测量所述高度差的步骤，直到所述介质层的上表面与所述第一绝缘层的底表面的高度差在所述预设高度差的取值范围内，所述刻蚀工艺结束。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，采用包括氢氟酸的刻蚀液或者包括稀硫酸与双氧水的刻蚀液刻蚀所述介质层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述衬底上形成第一绝缘层之前，所述方法还包括：在所述衬底上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层的下方；

在刻蚀所述第一绝缘层以及所述衬底的同一步骤中，还包括：刻蚀所述第二绝缘层，所述第一沟槽位于所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述衬底内。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一沟槽包括第一子沟槽和第二子沟槽；在形成介质层之前，所述方法还包括：

从所述第二子沟槽的底表面向下刻蚀所述衬底，形成第二沟槽。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，形成介质层，包括：

形成第一介质子层，所述第一介质子层填充所述第一子沟槽并覆盖所述第二沟槽的内壁、所述第二子沟槽的侧壁以及所述第一绝缘层的上表面。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第一介质子层之后，所述方法还包括：

在所述第二沟槽内形成隔离层，所述隔离层覆盖位于所述第二沟槽内的所述第一介质子层并填充所述第二沟槽。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，在所述第二沟槽内形成隔离层之后，所述方法还包括：

形成第二介质子层，所述第二介质子层覆盖所述第一介质子层并填充所述第二子沟槽。

10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，在形成第二介质子层之后，所述方法还包括：

采用化学机械抛光工艺移除位于所述第一绝缘层和所述第一沟槽上方的所述第一介质子层及所述第二介质子层，形成所述介质层。

11.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一绝缘层，位于所述衬底上；

第一沟槽，位于所述第一绝缘层和所述衬底内；

介质层，所述介质层填充部分所述第一沟槽，且所述介质层的上表面与所述第一绝缘层的底表面具有一预设高度差。

12.根据权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述预设高度差的范围在0至10nm之间。