[发明专利]柱销式衬底保持器及其制备方法在审
申请号: | 202211147087.6 | 申请日: | 2022-09-20 |
公开(公告)号: | CN115440650A | 公开(公告)日: | 2022-12-06 |
发明(设计)人: | 罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;赵承伟;张逸云;赵泽宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院光电技术研究所 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王文思 |
地址: | 610209 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 柱销式 衬底 保持 及其 制备 方法 | ||
1.一种柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,包括:
S1,在低面形起伏的基底(1)上依次形成金属掩蔽层(2)、有机保护层(3)和感光层(4);
S2,对所述感光层(4)进行曝光、显影,得到柱销式结构;
S3,依次刻蚀所述有机保护层(3)、所述金属掩蔽层(2),将所述柱销式结构转移至所述有机保护层(3)、所述金属掩蔽层(2)中;
S4,使用腐蚀液对所述基底(1)进行腐蚀,将所述柱销式结构继续转移至所述基底(1)中,所述基底(1)中柱销式结构的上表面保持了所述基底(1)初始的低面形起伏;
S5,去除所述感光层(4)、有机保护层(3)和金属掩蔽层(2),得到柱销式衬底保持器。
2.根据权利要求1所述的柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,所述S1中低面形起伏的基底(1)包括所述基底(1)的表面最高处与最低处的差值PV<20nm,所述基底(1)的表面高处、低处的平均值RMS<1nm。
所述基底(1)的材料包括石英、蓝宝石和碳化硅中的一种,所述基底(1)的直径为6英寸、8英寸或12英寸。
3.根据权利要求1所述的柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,所述S1中金属掩蔽层(2)的材料包括Au、Cu、Cr和Al中的一种,所述金属掩蔽层(2)的厚度d1为50~500nm;
所述有机保护层(3)为耐酸碱腐蚀的有机材料,包括聚甲基丙烯酸甲酯、耐腐蚀胶、旋涂碳中的一种;所述有机保护层(3)的厚度d2为1~20μm;
所述感光层(4)为光刻胶材料,所述感光层(4)的厚度d3为100~5000nm。
4.根据权利要求1所述的柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,所述S1中对所述感光层(4)进行光刻的方法包括紫外光刻、激光直写光刻和电子束直写光刻中的一种。
5.根据权利要求4所述的柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,所述S2中柱销式结构的特征尺寸d4为10~500μm;
所述柱销式结构的周期尺寸为0.5~10mm;
所述柱销式结构包括圆柱体、锥形体和立方体结构中的一种。
6.根据权利要求1所述的柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,所述S3中刻蚀所述有机保护层(3)的方法包括湿法刻蚀和氧等离子体刻蚀中的一种;
刻蚀所述金属掩蔽层(2)的方法包括离子束刻蚀、反应离子束刻蚀、感应耦合等离子体刻蚀和湿法刻蚀中的一种。
7.根据权利要求1所述的柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,所述S4中腐蚀液包括HF、NH4F、H2SO4、HNO3和HCl中的一种或者多种的组合。
8.根据权利要求1所述的柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,所述S4中对所述基底(1)进行腐蚀的腐蚀深度>10μm,腐蚀时间为30min~180min。
9.根据权利要求1所述的柱销式衬底保持器的制备方法,其特征在于,所述S5中去除所述感光层(4)、有机保护层(3)和金属掩蔽层(2)包括依次使用有机溶剂、无机溶剂去除。
10.一种柱销式衬底保持器,其特征在于,所述柱销式衬底保持器为根据权利要求1~9中任意一项所述的柱销式衬底保持器的制备方法制备得到。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造