[发明专利]用于经合并间接飞行时间传感器的读出架构在审
申请号: | 202211150604.5 | 申请日: | 2022-09-21 |
公开(公告)号: | CN116095522A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | A·苏思;杨征 | 申请(专利权)人: | 豪威科技股份有限公司 |
主分类号: | H04N25/70 | 分类号: | H04N25/70;H04N25/75;H04N25/78 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘媛媛 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 合并 间接 飞行 时间 传感器 读出 架构 | ||
1.一种飞行时间像素阵列,其包括:
多个光电二极管,其经配置以响应于入射于所述多个光电二极管上的反射调制光而产生电荷;
多个转移晶体管,其耦合到所述多个光电二极管,其中所述多个转移晶体管包含多个第一转移晶体管及多个第二转移晶体管,其中所述多个第一转移晶体管经配置以响应于第一调制信号转移来自所述多个光电二极管的所述电荷的第一部分,其中所述多个第二转移晶体管经配置以响应于第二调制信号转移来自所述多个光电二极管的所述电荷的第二部分,其中所述第二调制信号是反相的第一调制信号;
多个浮动扩散部,其中所述多个浮动扩散部包含耦合到所述多个第一转移晶体管的多个第一浮动扩散部;
多个合并晶体管,其中所述多个合并晶体管包含多个第一合并晶体管,其中所述多个第一合并晶体管中的第一者耦合于所述多个第一浮动扩散部中的第一者与所述多个第一浮动扩散部中的第二者之间;
多个取样与保持晶体管,其中所述多个取样与保持晶体管包含耦合到所述多个第一浮动扩散部的多个第一取样与保持晶体管;及
多个存储器节点,其中所述多个存储器节点包含多个第一存储器节点,其中所述多个第一存储器节点中的第一者通过所述多个第一取样与保持晶体管中的第一者耦合到所述多个第一浮动扩散部中的所述第一者,其中所述多个第一存储器节点中的第二者通过所述多个第一取样与保持晶体管中的第二者耦合到所述多个第一浮动扩散部中的所述第二者。
2.根据权利要求1所述的飞行时间像素阵列,其进一步包括:
多个读出晶体管,其中所述多个读出晶体管包含耦合到所述多个第一存储器节点的多个第一读出晶体管;
多个源极跟随器晶体管,其中所述多个源极跟随器晶体管包含多个第一源极跟随器晶体管,其中所述多个第一源极跟随器晶体管中的第一者的栅极通过所述多个第一读出晶体管中的第一者耦合到所述多个第一存储器节点中的所述第一者,其中所述多个第一源极跟随器晶体管中的所述第一者的所述栅极通过所述多个第一读出晶体管中的第二者耦合到所述多个第一存储器节点中的所述第二者;及
多个行选择晶体管,其中所述多个行选择晶体管包含多个第一行选择晶体管,其中所述多个第一行选择晶体管中的第一者耦合于所述多个第一源极跟随器晶体管中的所述第一者与第一位线之间。
3.根据权利要求2所述的飞行时间像素阵列,其进一步包括:
多个扩散复位晶体管,其中所述多个扩散复位晶体管包含耦合于电源轨与所述多个第一浮动扩散部之间的多个第一扩散复位晶体管;及
多个输出复位晶体管,其中所述多个输出复位晶体管包含耦合于所述电源轨与所述多个第一源极跟随器晶体管之间的多个第一输出复位晶体管。
4.根据权利要求3所述的飞行时间像素阵列,
其中所述多个浮动扩散部进一步包含耦合到所述多个第二转移晶体管的多个第二浮动扩散部,
其中所述多个合并晶体管进一步包含多个第二合并晶体管,其中所述多个第二合并晶体管中的第一者耦合于所述多个第二浮动扩散部中的第一者与所述多个第二浮动扩散部中的第二者之间,
其中所述多个取样与保持晶体管进一步包含耦合到所述多个第二浮动扩散部的多个第二取样与保持晶体管,
其中所述多个存储器节点进一步包含多个第二存储器节点,其中所述多个第二存储器节点中的第一者通过所述多个第二取样与保持晶体管中的第一者耦合到所述多个第二浮动扩散部中的所述第一者,其中所述多个第二存储器节点中的第二者通过所述多个第二取样与保持晶体管中的第二者耦合到所述多个第二浮动扩散部中的所述第二者。
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