[发明专利]存储芯片、控制方法及电子设备

说明书

本申请公开了一种存储芯片、控制方法及电子设备，属于芯片技术领域。该存储芯片包括：第一切换模块、第二切换模块以及连接于第一切换模块与第二切换模块之间的存储模块；第一切换模块分别与系统级芯片以及独显芯片连接，第二切换模块分别与系统级芯片以及独显芯片连接；其中，在第一切换模块处于第一状态，且第二切换模块处于第二状态的情况下，存储芯片用于存储系统级芯片的数据信息；在第一切换模块处于第三状态，且第二切换模块处于第四状态的情况下，存储芯片用于存储独显芯片的数据信息。

技术领域

本申请属于芯片技术领域，具体涉及一种存储芯片、控制方法及电子设备。

背景技术

由于独显芯片功能越来越丰富，并加入越来越多的AI(ArtificialIntelligence，人工智能)算法，对数据吞吐速率和缓存容量要求变高，需要内部集成大容量缓存单元，其中，双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate SynchronousDynamic Random Access Memory，DDR)是比较合适的选择。

相关技术中，系统DDR内存通常比较大，供系统级芯片(System on Chip，SoC)使用，独显芯片中通过内置DDR供独显芯片使用，内置DDR的内存一般在2Gb左右。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种存储芯片、控制方法及电子设备，能够提高存储芯片的利用率。

第一方面，本申请实施例提供了一种存储芯片，包括第一切换模块、第二切换模块以及连接于所述第一切换模块与所述第二切换模块之间的存储模块；

所述第一切换模块分别与系统级芯片以及独显芯片连接，所述第二切换模块分别与所述系统级芯片以及所述独显芯片连接；

其中，在所述第一切换模块处于第一状态，且所述第二切换模块处于第二状态的情况下，所述存储芯片用于存储所述系统级芯片的数据信息；在所述第一切换模块处于第三状态，且所述第二切换模块处于第四状态的情况下，所述存储芯片用于存储所述独显芯片的数据信息。

第二方面，本申请实施例提供了一种芯片系统，包括系统级芯片、独显芯片以及如第一方面所述的存储芯片，所述系统级芯片与所述独显芯片连接。

第三方面，本申请实施例提供了一种控制方法，所述方法用于如第二方面所述芯片系统，所述方法包括：

在所述系统级芯片启动的情况下，向所述第一切换模块以及所述第二切换模块发送第一电平的模式切换信号，以控制所述第一切换模块进入第一状态以及所述第二切换模块进入第二状态，使所述存储芯片存储所述系统级芯片的数据信息；

所述系统级芯片在接收到所述独显芯片发送的第一通知信息或在所述独显芯片处于预设场景的情况下，向所述第一切换模块以及所述第二切换模块发送第二电平的模式切换信号，以控制所述第一切换模块切换为第三状态以及所述第二切换模块切换为第四状态，使所述存储芯片存储所述独显芯片的数据信息。

第四方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括如第一方面所述的存储芯片。

第五方面，本申请实施例提供了一种电子设备，包括如第二方面所述的芯片系统。

第六方面，本申请实施例提供了一种电子设备，该电子设备包括处理器和存储器，所述存储器存储可在所述处理器上运行的程序或指令，所述程序或指令被所述处理器执行时实现如第三方面所述的方法的步骤。

第七方面，本申请实施例提供了一种可读存储介质，所述可读存储介质上存储程序或指令，所述程序或指令被处理器执行时实现如第三方面所述的方法的步骤。

第八方面，本申请实施例提供一种计算机程序产品，该程序产品被存储在存储介质中，该程序产品被至少一个处理器执行以实现如第三方面所述的方法的步骤。