[发明专利]一种OLED发光器件及其制备工艺、全彩OLED装置在审
申请号: | 202211155568.1 | 申请日: | 2022-09-22 |
公开(公告)号: | CN116018002A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 王焕杰;陈海峰;李崇 | 申请(专利权)人: | 江苏三月科技股份有限公司 |
主分类号: | H10K50/15 | 分类号: | H10K50/15;H10K71/00;H10K85/60;H10K101/40 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 214112 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 发光 器件 及其 制备 工艺 全彩 装置 | ||
1.一种OLED发光器件,所述OLED发光器件由下至上依次包括第一电极、有机功能层、第二电极;
所述有机功能层包括:
空穴传输区域,位于第一电极之上;
发光区域,位于所述空穴传输区域之上;
电子传输区域,位于所述发光层之上;
第二电极,位于所述电子传输区域之上;
其特征在于:
所述发光区域包括第一像素单元和第二像素单元;
所述第一像素单元的空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层;
所述第二像素单元的空穴传输区域由下至上依次包括空穴注入层、空穴传输层和空穴传输辅助层;
所述第二像素单元的空穴传输辅助层由下至上依次包括第一空穴传输辅助层、第二空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层;
所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层的有机材料相同;
所述第一空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层之间的HOMO能级差的绝对值小于等于0.25eV。
2.根据权利要求1所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一像素单元为蓝光像素单元,所述第二像素单元为绿光或红光像素单元;
或者所述第一像素单元为绿光像素单元,所述第二像素单元为红光像素单元。
3.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一空穴传输辅助层和第二空穴传输辅助层之间的HOMO能级差的绝对值小于等于0.2eV。
4.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:在相同亮度下,所述第一像素单元的启亮电压和第二像素单元的启亮电压之间的差值的绝对值≤0.25V,优选≤0.2V。
5.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层的膜厚相同或者不同。
6.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第二像素单元的空穴传输区域还可以包含电子阻挡层,该电子阻挡层位于空穴传输辅助层和发光区域之间。
7.根据权利要求6所述的OLED发光器件,其特征在于:所述第二像素单元的空穴传输区域的电子阻挡层和第一像素单元的空穴传输区域的电子阻挡层保持一致的膜厚和有机材料种类。
8.根据权利要求2所述的OLED发光器件,其特征在于,所述第一空穴传输辅助层和第三空穴传输辅助层膜厚为5-30nm,优选膜厚为5-25nm,优选膜厚为5-20nm,优选膜厚为5-15nm,更优选膜厚为5-10nm。
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