[发明专利]成膜方法和成膜装置

权利要求书

1.一种成膜方法，其中，

该成膜方法具有以下工序：

工序a，在基板上形成含有硅Si、氧O以及氮N的膜；

工序b，将形成有所述膜的所述基板暴露于由含有Ar气体的等离子体生成气体生成的等离子体中，在该工序中，通过对所述等离子体生成气体中是否含有氮化气体进行切换，从而调整所述膜中含有的氮浓度。

2.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

所述工序b包括以下内容：通过使所述等离子体生成气体中不含氮化气体，从而使所述膜中含有的氮浓度降低。

3.根据权利要求1所述的成膜方法，其中，

所述工序b包括以下内容：通过使所述等离子体生成气体中含有氮化气体，从而使所述膜中含有的氮浓度升高。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的成膜方法，其中，

交替地反复进行所述工序a和所述工序b。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜方法，其中，

所述工序a包括反复进行包含以下步骤的循环这样的内容：

向所述基板供给含有含硅气体的第1处理气体的步骤；

向所述基板供给含有氧化气体的第2处理气体的步骤；以及

向所述基板供给含有氮化气体的第3处理气体的步骤。

6.根据权利要求5所述的成膜方法，其中，

所述等离子体生成气体中含有的氮化气体与所述第3处理气体中含有的氮化气体相同。

7.根据权利要求5或6所述的成膜方法，其中，

所述基板沿着周向配置于在真空容器内设置的旋转台的上表面，

在所述真空容器内的所述旋转台的上方，沿着所述旋转台的旋转方向设有能够供给所述第1处理气体的第1处理气体供给部、能够供给所述第2处理气体的第2处理气体供给部、能够供给所述第3处理气体或所述等离子体生成气体的第3处理气体供给部，

所述工序a通过以下方式进行：在自所述第1处理气体供给部供给所述第1处理气体，自所述第2处理气体供给部供给所述第2处理气体，自所述第3处理气体供给部供给所述第3处理气体，并且由所述第3处理气体生成了等离子体的状态下，使所述旋转台旋转，

所述工序b通过以下方式进行：在不自所述第1处理气体供给部供给所述第1处理气体，而自所述第3处理气体供给部供给所述等离子体生成气体，并且由所述等离子体生成气体生成了等离子体的状态下，使所述旋转台旋转。

8.根据权利要求7所述的成膜方法，其中，

所述工序b在自所述第2处理气体供给部供给所述第2处理气体的状态下进行。

9.一种成膜装置，其中，

该成膜装置具备：

旋转台，其设于真空容器内，沿着周向在该旋转台的上表面载置多个基板；

在所述真空容器内的所述旋转台的上方沿着所述旋转台的旋转方向具备第1处理气体供给部、第2处理气体供给部以及第3处理气体供给部，该第1处理气体供给部能够供给含有含硅气体的第1处理气体，该第2处理气体供给部能够供给含有氧化气体的第2处理气体，该第3处理气体供给部能够供给含有氮化气体的第3处理气体或者含有Ar气体的等离子体生成气体；以及

控制部，

所述控制部构成为控制所述旋转台、所述第1处理气体供给部、所述第2处理气体供给部以及所述第3处理气体供给部，以执行以下工序：

在自所述第1处理气体供给部供给所述第1处理气体，自所述第2处理气体供给部供给所述第2处理气体，自所述第3处理气体供给部供给所述第3处理气体，并且由所述第3处理气体生成了等离子体的状态下，使所述旋转台旋转，从而在所述基板上形成含有硅Si、氧O以及氮N的膜；以及

在不自所述第1处理气体供给部供给所述第1处理气体，而自所述第3处理气体供给部供给所述等离子体生成气体，并且由所述等离子体生成气体生成了等离子体的状态下，使所述旋转台旋转，从而将形成有所述膜的所述基板暴露于由所述等离子体生成气体生成的等离子体中，在该工序中，通过对所述等离子体生成气体中是否含有氮化气体进行切换，从而调整所述膜中含有的氮浓度。