[发明专利]一种磁电阻结构及单轴向测量磁传感器

权利要求书

1.一种磁电阻结构，其特征在于，包括：

磁隧道结结构，所述磁隧道结结构包括第一磁隧道结结构和第二磁隧道结结构，所述第一磁隧道结结构设置在所述第二磁隧道结结构上，或所述第一磁隧道结结构与所述第二磁隧道结结构分立设置；

偏置层，所述磁隧道结结构中设置偏置层，所述偏置层包括第一偏置层和第二偏置层，所述第一磁隧道结结构中包括所述第一偏置层，所述第二磁隧道结结构中包括所述第二偏置层；

所述第一偏置层的偏置方向与所述第二偏置层的偏置方向与膜层平面平行，且垂直于待测轴向并相互反平行；

底电极及顶电极，所述磁隧道结结构设置在所述底电极与所述顶电极之间。

2.根据权利要求1所述的磁电阻结构，其特征在于，当所述第一磁隧道结结构设置在所述第二磁隧道结结构上时，在测量电路上，所述第一磁隧道结结构与所述第二磁隧道结结构串联；

所述第一磁隧道结结构在远离所述第二磁隧道结结构的方向上，依次包括钉扎层结构、第一势垒层、第一自由层、第一偏置层；

所述第二磁隧道结结构在远离所述第一磁隧道结结构的方向上，依次包括所述钉扎层结构、第二势垒层、第二自由层、第二偏置层；

所述钉扎层结构与所述第一自由层形成所述第一磁隧道结结构的隧穿效应，与所述第二自由层形成所述第二磁隧道结结构的隧穿效应。

3.根据权利要求2所述的磁电阻结构，其特征在于，所述钉扎层结构包括第一钉扎层和第二钉扎层，在所述第一钉扎层和所述第二钉扎层之间设置金属层；

所述第一钉扎层的一面与所述金属层接触，另一面与所述第一势垒层接触；

所述第二钉扎层的一面与所述金属层接触，另一面与所述第二势垒层接触。

4.根据权利要求1所述的磁电阻结构，其特征在于，当所述第一磁隧道结结构与所述第二磁隧道结结构分立设置时，在测量电路上，所述第一磁隧道结结构与所述第二磁隧道结结构串联或并联；

所述第一磁隧道结结构包括第一钉扎层、第一势垒层、第一自由层、第一偏置层，所述第二磁隧道结结构包括第二钉扎层、第二势垒层、第二自由层、第二偏置层。

5.根据权利要求1所述的磁电阻结构，其特征在于，所述偏置层的结构分为四种类型，包括偏置层第一类型结构、偏置层第二类型结构、偏置层第三类型结构和偏置层第四类型结构。

6.根据权利要求5所述的磁电阻结构，其特征在于，所述偏置层第一类型结构为在远离所述磁隧道结结构的方向上顺序设置的第二铁磁层、隔离层、第一铁磁层和反铁磁层。

7.根据权利要求5所述的磁电阻结构，其特征在于，所述偏置层第二类型结构为在远离所述磁隧道结结构的方向上顺序设置的铁磁层与反铁磁层。

8.根据权利要求5所述的磁电阻结构，其特征在于，所述偏置层第三类型结构为在远离所述磁隧道结结构的方向上顺序设置的铁磁层与永磁层。

9.根据权利要求5所述的磁电阻结构，其特征在于，所述偏置层第四类型结构为在远离所述磁隧道结结构的方向上设置的永磁层。

10.根据权利要求5所述的磁电阻结构，其特征在于，所述第一偏置层的结构为所述偏置层第一类型结构、所述偏置层第二类型结构、所述偏置层第三类型结构及所述偏置层第四类型结构中任意一种；

且，所述第二偏置层的结构为所述偏置层第一类型结构、所述偏置层第二类型结构、所述偏置层第三类型结构及所述偏置层第四类型结构中任意一种。

11.根据权利要求1所述的磁电阻结构，其特征在于，包括种子层，所述种子层设置在所述底电极上，所述磁隧道结结构设置在所述种子层上。

12.根据权利要求1所述的磁电阻结构，其特征在于，包括保护层，所述保护层设置在所述磁隧道结结构上，所述顶电极设置在所述保护层上。

13.一种单轴向测量磁传感器，其特征在于，包括如权利要求1-12中任一项所述的磁电阻结构，若干个所述磁电阻结构之间串联或并联。