[发明专利]一种基于金刚石的P型MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种基于金刚石的P型MOSFET器件，其包括中层结构、位于中层结构上端面上的上层结构，其特征在于：所述中层结构包括金刚石的N型衬底、形成于所述N型衬底左右两侧的P+源区，所述上层结构包括形成于其中一个所述P+源区上端面上的源极金属层、形成于另一个所述P+源区上端面上的漏极金属层、形成于所述N型衬底上端面上的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上端面上的栅极金属层，所述源极金属层与所述栅极金属层之间、以及所述栅极金属层和所述漏极金属层之间均具有沟槽，所述MOSFET器件还包括与所述上层结构对称的设置在所述中层结构下端面上的下层结构。

2.根据权利要求1所述的基于金刚石的P型MOSFET器件，其特征在于：所述源极金属层和漏极金属层的厚度均为30-50um。

3.根据权利要求1所述的基于金刚石的P型MOSFET器件，其特征在于：所述栅极绝缘层厚度为300-800nm。

4.根据权利要求1所述的基于金刚石的P型MOSFET器件，其特征在于：所述栅极金属层的厚度为3-5um。

5.根据权利要求1所述的基于金刚石的P型MOSFET器件，其特征在于：所述MOSFET器件还包括形成于所述上层结构和/或下层结构上的阻挡层。

6.一种权利要求1～5中任一所述基于金刚石的P型MOSFET器件的制造方法，其包括以下步骤：

步骤1：在n型衬底上方，化学气相淀积第一阻挡层，第一阻挡层上涂抹光刻胶，对n型衬底左右两端部上的光刻胶进行部分曝光，利用光刻溶液去除曝光处光刻胶进而刻蚀第一阻挡层形成第一通孔，通过第一通孔对n型衬底进行离子注入，形成p+源区；

步骤2：在p+源区上方采用物理气相淀积形成源极金属层和漏极金属层，淀积厚度为30～50μm；

步骤3：利用酸性溶液去除第一阻挡层及光刻胶层，在n型衬底上方，化学气相淀积第二阻挡层，第二阻挡层上涂抹光刻胶，通过对光刻胶的第一通孔部分曝光，利用光刻溶液去除曝光处光刻胶进而刻蚀第二阻挡层，形成第二通孔。通过第二通孔区域对n型衬底进行栅极绝缘层淀积形成栅极绝缘层；

步骤4：利用酸性溶液去除第一阻挡层及光刻胶层，在漂移层上形成第三阻挡层，并对第三阻挡层蚀刻形成源区金属通孔，通过源区金属通孔对栅极金属区淀积，形成栅极金属层；

步骤5：在上层结构上化学气相淀积形成最终阻挡层，对器件的外露的端面进行保护；

其特征在于，所述制造方法还包括步骤6：在中层结构的下端面上重复步骤2～4形成下层结构，并在下层结构上化学气相淀积形成最终阻挡层。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：步骤1中，离子注入时的掺杂浓度为2*10^18cm^-3～6*10^18cm^-3。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：步骤2中，源极金属层和漏极金属层均采用金靶材。

9.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：步骤3中，栅极绝缘层利用物理气象淀积形成，淀积材料为Al2O3，淀积厚度为300～800nm。

10.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：步骤4中，栅极金属层利用物理气象淀积，淀积材料为金，淀积厚度为3～5μm。