[发明专利]一种有机硅消泡组合物及其制备方法和消泡制剂有效
申请号: | 202211165995.8 | 申请日: | 2022-09-23 |
公开(公告)号: | CN115746974B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 赵虹;罗彤 | 申请(专利权)人: | 佛山市南海大田化学有限公司 |
主分类号: | C11D3/20 | 分类号: | C11D3/20;C11D3/18;C11D3/12;C11D3/22;C11D3/34;C11D3/37;C11D3/60;C11D17/00;C11D17/08;C08F283/12;C08F210/14;C08F212/12 |
代理公司: | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人: | 骆志豪 |
地址: | 528225 广东省佛*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机硅 组合 及其 制备 方法 泡制 | ||
1.一种有机硅消泡组合物,其特征在于,包括按重量份计的以下组分:
线性含氢聚硅氧烷 10-40份,
空间结构硅氢乙烯基聚硅氧烷 0.5-15份,
α-烯烃 40-60份,
甲基硅树脂 3-10份,
二氧化硅 4-10份;
所述线性含氢聚硅氧烷的结构式为:
;
其中,R、R1、R2、R3和R4分别为氢、C1-C20烷基、C2-C18烯基和芳基中的任一种;m=5-40,n=5-30,且n、m均为整数;
所述空间结构硅氢乙烯基聚硅氧烷由空间结构含氢聚硅氧烷与双乙烯基封端的聚硅氧烷反应而成;所述空间结构含氢聚硅氧烷的结构式为(Me3SiO1/2)a(HMe2SiO1/2)b(SiO4/2)c;其中(a+b)与c的比值为(0.5-3):1。
2.如权利要求1所述的有机硅消泡组合物,其特征在于:所述双乙烯基封端的聚硅氧烷的含氢量为0.1-1.2%,所述双乙烯基封端的聚硅氧烷为双乙烯基封端的聚二甲基硅氧烷,粘度为20-200mPa·s;所述空间结构含氢聚硅氧烷和双乙烯基封端的聚硅氧烷的质量比为(6-18):1。
3.如权利要求1所述的有机硅消泡组合物,其特征在于:所述α-烯烃由链烯烃或链烯烃和芳基烯烃的组合物组成。
4.如权利要求3所述的有机硅消泡组合物,其特征在于:所述链烯烃为α-己烯、α-辛烯、α-癸烯、α-十二烯、α-十四烯、α-十六烯、α-十八烯、α-二十烯、α-二十二烯、α-二十四烯、α-二十六烯、α-二十八烯、α-三十烯中的一种或两种以上;
所述芳基烯烃为α-苯乙烯和/或α-甲基苯乙烯。
5.如权利要求1所述的有机硅消泡组合物,其特征在于:还包括铂催化剂,所述铂催化剂的含量为3-20 ppm;
所述甲基硅树脂为甲基MQ树脂,其中,M链节与Q链节的比值为(0.4-2.1):1;
所述二氧化硅为沉淀法疏水二氧化硅和/或气相法疏水二氧化硅。
6.如权利要求1或2所述的有机硅消泡组合物,其特征在于:所述空间结构硅氢乙烯基聚硅氧烷的制备方法包括以下步骤:
1)将含(SiO4/2)链节的原料加入浓盐酸、乙醇、水的混合液中,在20-50℃的条件下水解,得到水解溶液;
2)在所述水解溶液中加入含(Me3SiO1/2)链节的原料和含链节(HMe2SiO1/2)的原料的乙醇溶液,在60-80℃下水解后加入甲苯萃取,分液得到有机相并水洗至中性,干燥,过滤,得到含氢聚硅氧烷的溶液;
3)向所述含氢聚硅氧烷的溶液中加入双乙烯基封端的聚硅氧烷和铂催化剂的乙醇溶液进行反应,减压蒸除溶剂,得到空间结构硅氢乙烯基聚硅氧烷。
7.一种有机硅消泡组合物的制备方法,用于制备权利要求1-6任一项所述的有机硅消泡组合物,其特征在于,包括以下步骤:
1)将线性含氢聚硅氧烷、空间结构硅氢乙烯基聚硅氧烷和二氧化硅混合,搅拌分散,得到预混物;
2)将所述预混物搅拌并升温至40-80℃后,加入α-烯烃和铂催化剂,控制反应液温度在100-120℃进行反应;
3)向步骤2)得到的反应产物中加入甲基硅树脂,保温反应,然后升温至150-200℃,脱除小分子后降温,得到有机硅消泡组合物。
8.一种消泡制剂,其特征在于,应用权利要求1-6任一项所述的有机硅消泡组合物,包括按重量份计的以下组分:
载体40-90份,有机硅消泡组合物2-20份,乳化剂1-10份,成膜助剂3-20份,pH缓冲剂0.5-2份,水3-20份。
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