[发明专利]一种无铅零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料、制备方法及其应用在审
申请号: | 202211167577.2 | 申请日: | 2022-09-23 |
公开(公告)号: | CN115594719A | 公开(公告)日: | 2023-01-13 |
发明(设计)人: | 崔彬彬;程晓华;韩颖 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学 |
主分类号: | C07F9/94 | 分类号: | C07F9/94;C09K11/06 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 张洁 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 无铅零维 有机 无机 金属 卤化物 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种无铅零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料,其特征在于:所述材料的化学式为(C4H12N2O)(C4H11N2O)BiCl6或(C4H12N2O)(C4H11N2O)BiBr6;BiCl63-或BiBr63-无机八面体被N-乙酰基乙二胺有机阳离子(C4H12N2O)2+与(C4H11N2O)+分隔成独立的岛状结构;所述单晶材料的晶胞参数如下表1所示:
表1
2.一种如权利要求1所述无铅零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的制备方法,其特征在于:方法步骤包括:
将N-乙酰基乙二胺与B位金属氧化物或B位金属卤化物加入卤酸溶液中,采用反溶剂法制备得到一种零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料;
其中,所述B位金属氧化物为Bi2O3;
所述B位金属卤化物位BiCl3或BiBr3;
所述卤酸为盐酸或溴氢酸。
3.如权利要求2所述一种无铅零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的制备方法,其特征在于:所述N-乙酰基乙二胺与B位金属氧化物的摩尔比为1:2~1:3;所述N-乙酰基乙二胺与B位金属卤化物的摩尔比为1:2~1:3。
4.如权利要求2所述一种无铅零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的制备方法,其特征在于:所述B位金属氧化物与卤酸的摩尔比为1:1~3:1;所述B位金属卤化物与卤酸的摩尔比为1:1~3:1。
5.如权利要求2所述一种无铅零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的制备方法,其特征在于:所述反溶剂为甲醇或乙醚;所述卤酸与反溶剂的体积比为3:5~5:5。
6.一种如权利要求1所述零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的应用,其特征在于:所述材料作为压力诱导发光材料使用。
7.如权利要求6所述一种零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的应用,其特征在于:所述(C4H12N2O)(C4H11N2O)BiCl6作为压力诱导紫光发光材料使用,压力为2~30GPa。
8.如权利要求7所述一种零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的应用,其特征在于:所述压力为12~18GPa。
9.如权利要求6所述一种零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的应用,其特征在于:所述(C4H12N2O)(C4H11N2O)BiBr6作为压力诱导蓝光发光材料使用,压力为2~20GPa。
10.如权利要求9所述一种零维有机-无机杂化金属卤化物单晶材料的应用,其特征在于:所述压力为7~12GPa。
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