[发明专利]具备静电放电保护的晶体管开关

权利要求书

1.一种电子开关装置，其特征在于，包括：

输入端；

输出端；

至少第一场效应晶体管(FET)，所述第一FET具有第一电流端、第二电流端、所述第一电流端与所述第二电流端之间的沟道区以及体区；所述第一FET被配置成经由所述第一FET的所述沟道区在所述输入端与所述第一FET的所述第二电流端之间提供第一导电电流路径；

至少第二场效应晶体管(FET)，所述第二FET在所述输入端与所述输出端之间与所述第一FET串联连接；所述第二FET具有第一电流端、第二电流端、所述第一电流端与所述第二电流端之间的沟道区以及体区；所述第二FET被配置成经由所述第二FET的所述沟道区在所述第二FET的所述第二电流端与所述输出端之间提供第二导电电流路径；

第一静电放电(ESD)保护电路，所述第一ESD保护电路电耦合到所述第一FET的所述第一电流端和所述第一FET的所述体区；以及

第二ESD保护电路，所述第二ESD保护电路电耦合到所述第二FET的所述第一电流端和所述第二FET的所述体区。

2.根据权利要求1所述的电子开关装置，其特征在于，

所述第一ESD保护电路包括第一组二极管，所述第一组二极管串联连接在所述第一FET的所述第一电流端与所述第一FET的所述体区之间，并且被定向成从所述第一FET的所述第一电流端朝向所述第一FET的所述体区传递电流；并且

所述第二ESD保护电路包括第二组二极管，所述第二组二极管串联连接在所述第二FET的所述第一电流端与所述第二FET的所述体区之间，并且被定向成从所述第二FET的所述第一电流端朝向所述第二FET的所述体区传递电流。

3.根据权利要求2所述的电子开关装置，其特征在于，

所述第一ESD保护电路包括第三组二极管，所述第三组二极管串联连接在所述第一FET的所述第二电流端与所述第一FET的所述体区之间，并且被定向成从所述第一FET的所述第二电流端朝向所述第一FET的所述体区传递电流；并且

所述第二ESD保护电路包括第四组二极管，所述第四组二极管串联连接在所述第二FET的所述第二电流端与所述第二FET的所述体区之间，并且被定向成从所述第二FET的所述第二电流端朝向所述第二FET的所述体区传递电流。

4.根据权利要求2所述的电子开关装置，其特征在于，所述二极管和所述FET被配置成使得所述电子开关装置被配置成承受从所述输入端流动到所述输出端的至少1.5安培的峰值ESD电流而不会受到损坏。

5.根据权利要求4所述的电子开关装置，其特征在于，

所述电子开关装置具有小于或等于350飞秒的开关品质因子，所述开关品质因子由在所述电子开关装置的所述输入端与所述输出端之间测量的导通状态电阻与所述电子开关装置的在所述输入端与所述输出端之间测量的断开状态电容的乘积限定。

6.根据权利要求4所述的电子开关装置，其特征在于，

所述电子开关装置具有小于或等于100飞秒的开关品质因子，所述开关品质因子由所述电子开关装置的在所述输入端与所述输出端之间测量的导通状态电阻与所述电子装置的在所述输入端与所述输出端之间测量的断开状态电容的乘积限定。

7.根据权利要求1所述的电子开关装置，其特征在于，

当所述电子开关装置暴露于大于所述输入端处相对于所述输出端的电势测量的第一预定电压的电压时：

所述第一ESD保护电路被配置成使得电流经由所述第一FET的所述体区在所述第一FET的所述第一电流端与所述第一FET的所述第二电流端之间流动；并且

所述第二ESD保护电路被配置成使得电流经由所述第二FET的所述体区在所述第二FET的所述第一电流端与所述第二FET的所述第二电流端之间流动。