[发明专利]像素电路和包括该像素电路的显示装置在审
申请号: | 202211169488.1 | 申请日: | 2022-09-22 |
公开(公告)号: | CN115985213A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 梁健祐 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 杨帆;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 电路 包括 显示装置 | ||
1.一种像素电路,所述像素电路包括:
发光元件;
驱动晶体管,将驱动电流施加到所述发光元件,并且包括控制电极和第一电极;
存储电容器,连接到所述驱动晶体管的所述控制电极;
数据电压施加晶体管,将数据电压施加到所述存储电容器;
发射晶体管,响应于发射信号将所述驱动晶体管连接到所述发光元件,并且包括控制电极;以及
偏置电容器,设置在所述驱动晶体管的所述第一电极与所述发射晶体管的所述控制电极之间。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其中,所述发射晶体管是P型晶体管。
3.根据权利要求1所述的像素电路,其中,所述发光元件包括阳极电极,并且
其中,所述像素电路还包括将第一初始化电压施加到所述发光元件的所述阳极电极的发光元件初始化晶体管。
4.根据权利要求3所述的像素电路,其中,所述发光元件初始化晶体管响应于所述发射信号将所述第一初始化电压施加到所述发光元件的所述阳极电极,
其中,所述发光元件初始化晶体管是N型晶体管,并且
其中,所述发射晶体管是P型晶体管。
5.根据权利要求1所述的像素电路,所述像素电路还包括将第二初始化电压施加到所述驱动晶体管的所述控制电极的数据初始化晶体管。
6.根据权利要求1所述的像素电路,所述像素电路还包括设置在所述驱动晶体管的所述控制电极与所述驱动晶体管的所述第一电极之间的阈值电压补偿晶体管。
7.根据权利要求1所述的像素电路,所述像素电路还包括将参考电压施加到所述存储电容器的参考电压施加晶体管。
8.根据权利要求7所述的像素电路,其中,所述驱动晶体管还包括接收驱动电源电压的第二电极,并且
其中,所述参考电压与所述驱动电源电压相同。
9.根据权利要求7所述的像素电路,所述像素电路还包括设置在所述驱动晶体管的所述控制电极与所述驱动晶体管的所述第一电极之间的阈值电压补偿晶体管,并且
其中,施加到所述参考电压施加晶体管的控制电极的控制信号与施加到所述阈值电压补偿晶体管的控制电极的控制信号相同。
10.一种像素电路,所述像素电路包括:
发光元件;
驱动晶体管,将驱动电流施加到所述发光元件,并且包括控制电极和第一电极;
存储电容器,连接到所述驱动晶体管的所述控制电极;
数据电压施加晶体管,将数据电压施加到所述存储电容器;
发射晶体管,响应于发射信号将所述驱动晶体管连接到所述发光元件;以及
偏置电容器,包括接收偏置信号的第一电极和连接到所述驱动晶体管的所述第一电极的第二电极。
11.根据权利要求10所述的像素电路,其中,所述发射晶体管是P型晶体管。
12.根据权利要求11所述的像素电路,其中,当所述发射信号具有高电压电平时,所述偏置信号从低电压电平上升到所述高电压电平。
13.根据权利要求10所述的像素电路,所述像素电路还包括将第一初始化电压施加到所述发光元件的阳极电极的发光元件初始化晶体管。
14.根据权利要求13所述的像素电路,其中,所述发光元件初始化晶体管响应于所述偏置信号将所述第一初始化电压施加到所述发光元件的所述阳极电极,
其中,所述发光元件初始化晶体管是N型晶体管,并且
其中,所述发射晶体管是P型晶体管。
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