[发明专利]永磁体稳磁方法及永磁体

说明书

本发明涉及一种永磁体稳磁方法及永磁体。该永磁体稳磁方法包括如下步骤：将永磁体充磁至饱和状态；对饱和状态的永磁体进行部分退磁，退磁量范围小于或等于21％，退磁后的表观磁畴尺寸为0.1μm‑1.0μm。上述永磁体稳磁方法，从稳定磁畴的角度出发，通过限定退磁量以及表观磁稠尺寸的方式进行部分退磁，以消除磁畴的不稳定状态，使其磁矩提前偏转至稳定状态，大幅减少自然磁损，提高永磁体的时间稳定性。这种部分退磁稳磁方法普适性强，简单高效，效果显著，有利于提高关键磁性器件的使用精度以及稳定性。

技术领域

本发明涉及永磁体相关技术领域，特别是涉及一种永磁体稳磁方法及永磁体。

背景技术

永磁材料内部微观组织结构不均匀，以及充磁、机械加工等加工操作所带来的内应力，都会造成永磁材料的自然磁损，即，随着使用时间的推移以及外界条件的变化，永磁体的磁性能会逐渐减弱；自然磁损的不稳定性会影响永磁材料的可靠性，不利于永磁材料的应用。

通过传统的保温、高温、冷热循环等退磁方式实现稳磁，其本质是一种老化手段，原理是通过提前释放永磁体内的内应力，以使得永磁体的磁性趋于稳定，避免因自然老化导致该部分内应力释放，进而导致退磁的情况发生。

上述通过人工老化实现退磁的手段，大多仅限定加工工艺，例如限制加热温度、保温时间或冷热循环间隔等参数，但是，由于永磁体的个体磁性能不同，此类加工方式加工得到的永磁体的稳磁性能存在批次波动以及个体波动，无法应用于航空航天、国防等对稳磁性能具有较高要求的领域中。

发明内容

基于此，有必要针对目前的稳磁方法的稳磁效果会受永磁体个体磁性能影响，无法满足航空航天、国防等领域需求的问题，提供一种能够稳定得到较高稳磁效果的永磁体稳磁方法及永磁体。

本申请首先提供一种永磁体稳磁方法，包括如下步骤：

将永磁体充磁至饱和状态；

对饱和状态的永磁体进行部分退磁，退磁量范围小于或等于21％，退磁后的表观磁畴尺寸为0.1μm-1.0μm。

上述永磁体稳磁方法，从稳定磁畴的角度出发，通过限定退磁量以及表观磁稠尺寸的方式进行部分退磁，以消除磁畴的不稳定状态，使其磁矩提前偏转至稳定状态，大幅减少自然磁损，提高永磁体的时间稳定性。这种部分退磁稳磁方法依靠限定退磁量以及表观磁畴尺寸的方式进行退磁，从而确保永磁体的表观磁畴均能够宽化合并至较为稳定的状态，因此不受永磁体个体磁性能影响，普适性强，简单高效，效果显著，有利于提高关键磁性器件的使用精度以及稳定性。

在其中一个实施例中，对饱和状态的永磁体进行部分退磁的步骤中，退磁量范围为7％-21％，退磁至表观磁畴尺寸为0.5μm-1.0μm。

可以理解的是，在该退磁量范围以及该表观磁稠尺寸范围内，退磁完成后的永磁体不但自然磁损较低、稳磁性能较强，同时还保有较强的磁性能，能够满足永磁体的正常使用需求。

在其中一个实施例中，对饱和状态的永磁体进行部分退磁的步骤中，通过交流脉冲磁场退磁或直流磁场退磁。

可以理解的是，通过外加磁场退磁，能够极大的减少退磁所需时间，增加退磁效率。

在其中一个实施例中，所述交流脉冲磁场退磁以及所述直流磁场退磁均包括如下步骤：

通过BH仪测量得到永磁体的退磁曲线；

根据永磁体所需退磁量确定永磁体的剩磁Br，剩磁Br＝100％-退磁量；

对照退磁曲线，根据剩磁Br确定其所对应的退磁场H1大小；

参考H1，重复验证试验直至确定交流退磁场H2或直流退磁场H3的大小；

根据交流退磁场H2或直流退磁场H3对永磁体进行退磁。