[发明专利]一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件

权利要求书

1.一种利用二次回滞提高维持电流的高鲁棒性SCR器件结构，其特征在于：

所述器件包括一个第一种导电类型硅衬底，所述第一种导电类型硅衬底上形成的相邻接的一个第二种导电类型阱区和一个第一种导电类型阱区；所述第二种导电类型阱区内设有一个第一种导电类型重掺杂区，第一个第二种导电类型重掺杂区，第二个第二种导电类型重掺杂区和一个第二种导电类型中等掺杂区，所述的第二个第二种导电类型重掺杂区、第一个第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区依次远离所述第二种导电类型阱区和第一种导电类型阱区形成PN结的结面，且通过浅槽隔离区隔离，所述的第二种导电类型中等掺杂区位于所述第一种导电类型重掺杂区和所述第一种导电类型重掺杂区与第一个第二种导电类型重掺杂区之间浅槽隔离区的正下方；所述第一种导电类型阱区内设有一个第二种导电类型重掺杂区和一个第一种导电类型重掺杂区；

所述第二种导电类型阱区内的第一种导电类型重掺杂区和第一个第二种导电类型重掺杂区同阳极相连；所述第一种导电类型阱区内第二种导电类型重掺杂区和第一种导电类型重掺杂区同阴极相连。