[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

壳体，其为框状，且在所述框状的一边具有凹部；

层叠体，其依次层叠有第一端子、绝缘片以及第二端子，并配置于所述凹部；以及

梁部，其固着于所述壳体的所述凹部，并将配置于所述凹部的所述层叠体固定。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体装置包括第一粘接剂，所述第一粘接剂介于所述壳体的所述凹部与所述层叠体之间、以及所述层叠体与所述梁部之间。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述层叠体包括第二粘接剂，所述第二粘接剂介于所述第一端子与所述绝缘片之间、以及所述绝缘片与所述第二端子之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述层叠体以所述第一端子位于所述壳体的所述凹部的底部侧，所述第二端子位于所述梁部侧的方式配置，

所述壳体的所述凹部的所述底部具有第一凹陷，所述第一凹陷容纳所述层叠体的所述第一端子，

所述梁部具有第二凹陷，所述第二凹陷容纳所述层叠体的所述第二端子。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述壳体具有与所述第一凹陷连通的第一槽，

所述梁部具有与所述第二凹陷连通的第二槽。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述梁部具有卡止于所述壳体的卡止部，

所述壳体具有供所述梁部的所述卡止部嵌合的嵌合部。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述梁部的材料是与所述壳体的材料相同种类的材料。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述梁部在固着于所述壳体的所述凹部而成为所述框状的所述一边的内侧的面具有经粗糙化的部位。

9.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

准备壳体的工序，所述壳体为框状，且在所述框状的一边具有凹部；

准备梁部的工序，所述梁部能够配置于所述壳体的所述凹部；

准备层叠体的工序，所述层叠体依次层叠有第一端子、绝缘片以及第二端子；

将所述层叠体配置于所述壳体的所述凹部的工序；以及

将所述梁部固着于配置有所述层叠体的、所述壳体的所述凹部而将所述层叠体固定的工序。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述半导体装置的制造方法包括使用第一粘接剂将所述壳体的所述凹部与所述层叠体之间、以及所述层叠体与所述梁部之间进行粘接的工序。

11.根据权利要求9或10所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

准备所述层叠体的工序包括使用第二粘接剂将所述第一端子与所述绝缘片之间、以及所述绝缘片与所述第二端子之间进行粘接的工序。

12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

配置所述层叠体的工序包括以在设置于所述壳体的所述凹部的底部的第一凹陷容纳所述第一端子的方式配置所述层叠体的工序，

将所述梁部固着于所述壳体的所述凹部的工序包括以在设置于所述梁部的第二凹陷容纳配置于所述凹部的所述层叠体的所述第二端子的方式，将所述梁部固着的工序。

13.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述梁部具有卡止于所述壳体的卡止部，

所述壳体具有供所述梁部的所述卡止部嵌合的嵌合部，

将所述梁部固着于所述壳体的所述凹部的工序包括将所述梁部的所述卡止部与所述壳体的所述嵌合部嵌合的工序。