[发明专利]磁性结构和磁性元件

说明书

依据本发明的实施例揭露了一种磁性结构和磁性元件，所述磁性结构包括第一磁性组件和第二磁性组件；以及两个磁柱，至少一个绕有绕组，并与至少部分所述第一磁性组件和至少部分所述第二磁性组件形成磁通回路；其中，至少部分所述第一磁性组件的部分区域位于所述两个磁柱之间。本发明的磁性结构有利于扁平化，应用在对高度限制较严的场合有较大优势。

技术领域

本发明涉及电力电子领域，更具体的说，涉及一种磁性结构和磁性元件。

背景技术

现有技术中的磁芯结构如图1所示，所述磁性结构包括I型磁芯和U型磁芯，I型磁芯包括上磁板，U型磁芯包括下磁板和位于下磁板上方的两个磁柱，所述上磁板位于所述两个磁柱的上方，I型磁芯中的磁通流通方向与气隙(即U型磁芯与I型磁芯搭接面之间的空隙)中的磁通流动方向不同，而U型磁芯中两个磁柱的磁通流动方向与之相同，故磁通在I型磁芯中将因折射效应产生较高的磁通，这会造成磁通分布不均匀，加大磁芯的局部损耗密度。

现有技术中通过加厚I型磁芯的厚度来改善磁通的局部聚集。但是不利于磁芯的小型化和扁平化，在对高度限制较严的应用中无法实施。

发明内容

有鉴于此，本发明提出了一种磁性结构，以解决现有技术中不利于磁芯的扁平化，在对高度限制较严的应用中无法实施的技术问题。

本发明实施例提供了一种磁性结构，所述磁性结构包括：第一磁性组件和第二磁性组件；以及两个磁柱，至少一个上绕有绕组，并与至少部分所述第一磁性组件和至少部分所述第二磁性组件形成磁通回路；其中，至少部分所述第一磁性组件位于所述两个磁柱之间。

在一个实施例中，所述第一磁性组件与所述磁柱相互搭接的面相适配。

在一个实施例中，所述第一磁性组件与所述磁柱的搭接面为曲面或平面或曲面和平面的结合。

在一个实施例中，当所述搭接面为平面或曲面和平面的结合时，所述搭接面为平面的区域中至少部分与参考面相交，所述参考面被配置为与所述两个磁柱的中轴线垂直并穿过所述两个磁柱。

在一个实施例中，所述搭接面和所述参考面的夹角为5°～150°。

在一个实施例中，至少一个磁柱和所述第一磁性组件的所述搭接面为平面的区域至少部分与参考面垂直。

在一个实施例中，所述第一磁性组件包括第一平面和第二平面，一个所述磁柱包括第三平面，另一个所述磁柱包括第四平面，所述第一平面与所述第二平面的部分区域搭接，所述第二平面与所述第四平面的部分区域搭接。

在一个实施例中，所述搭接面为平面的区域中与参考面不垂直时，所述第一磁性组件包括第一斜面和第二斜面，一个所述磁柱包括第三斜面，另一个所述磁柱包括第四斜面，所述第一斜面与所述第三斜面搭接，所述第二斜面与所述第四斜面搭接。

在一个实施例中，所述第一磁性组件还包括与所述第一平面连接的第一曲面和第二曲面，以及与所述第二平面连接的第三曲面和第四曲面，所述第一曲面、所述第一平面和所述第二曲面组成一个凹面，所述第三曲面、所述第二平面和所述第四曲面组成一个凹面，一个所述磁柱还包括与所述第三平面连接的第五曲面和第六曲面，所述第五曲面、所述第三平面和所述第六曲面组成一个凸面，另一个所述磁柱还包括与所述第四平面连接的第七曲面和第八曲面，所述第七曲面、所述第四平面和所述第八曲面组成一个凸面，所述第一曲面、所述第一平面和所述第二曲面分别和所述第五曲面、所述第三平面和所述第六曲面的部分区域搭接，所述第三曲面、所述第二平面和所述第四曲面分别与所述第七曲面、所述第四平面和所述第八曲面搭接。

在一个实施例中，所述第一磁性组件包括第一曲面和第二曲面，一个所述磁柱包括第三曲面，另一个所述磁柱包括第四曲面，所述第一曲面与所述第三曲面搭接，所述第二曲面与所述第四曲面搭接；其中，所述第一曲面和所述第三曲面中一个为凹面，另外一个为凸面，所述第二曲面和所述第四曲面中的一个为凹面，另一个为凸面。