[发明专利]一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路

权利要求书

1.一种SRAM型可编程逻辑器件的电压管理电路，其特征在于，所述SRAM型可编程逻辑器件中，字线电路的每个字线通道通过一个字线驱动器连接对应的若干个配置SRAM，所述电压管理电路连接各个字线驱动器提供字线驱动电压WL_VDD；

所述电压管理电路执行的方法包括：

当根据初始化标志位和配置完成标志位确定所述SRAM型可编程逻辑器件处于配置阶段时，给各个字线驱动器提供大于内核逻辑电压VCCINT的字线驱动电压WL_VDD，选通的字线通道所连接的字线驱动器将所述字线通道输出的字线电压转换为所述字线驱动电压WL_VDD并提供给当前选中的若干个配置SRAM。

2.根据权利要求1所述的电压管理电路，其特征在于，所述电压管理电路还连接所有配置SRAM提供所述配置SRAM的供电电压SRAM_VDD，所述电压管理电路执行的方法还包括：

当根据初始化标志位和配置完成标志位确定所述SRAM型可编程逻辑器件处于清零阶段时，给所有配置SRAM提供小于内核逻辑电压VCCINT的供电电压SRAM_VDD，使得所有配置SRAM通过一次循环完成数据清零。

3.根据权利要求2所述的电压管理电路，其特征在于，所述电压管理电路执行的方法还包括：

当根据初始化标志位和配置完成标志位确定所述SRAM型可编程逻辑器件处于运行用户逻辑功能阶段时，给所有配置SRAM提供大于内核逻辑电压VCCINT的供电电压SRAM_VDD。

4.根据权利要求3所述的电压管理电路，其特征在于，所述电压管理电路执行的方法还包括：

当根据初始化标志位和配置完成标志位确定所述SRAM型可编程逻辑器件处于运行用户逻辑功能阶段时，根据配置SRAM电压控制寄存器调节提供给所有配置SRAM的供电电压SRAM_VDD的电压值。

5.根据权利要求1所述的电压管理电路，其特征在于，所述电压管理电路执行的方法还包括：

当根据初始化标志位和配置完成标志位确定所述SRAM型可编程逻辑器件处于运行用户逻辑功能阶段时，给所有字线驱动器提供0V的字线驱动电压WL_VDD。

6.根据权利要求2所述的电压管理电路，其特征在于，所述电压管理电路包括基准电压模组和高压产生模组，所述基准电压模组生成基准电压Vref并提供给所述高压产生模组；

所述电压管理电路的第一输出端通过开关K0接地，所述第一输出端还通过开关K1连接内核逻辑电压VCCINT，所述第一输出端还通过开关K2连接所述高压产生模组的输出端；开关K0、开关K1和开关K2在同一时刻仅有一个开关处于闭合状态；

当开关K0闭合时，所述电压管理电路通过所述第一输出端输出0V的字线驱动电压WL_VDD；当开关K1闭合时，所述电压管理电路通过所述第一输出端输出等于内核逻辑电压VCCINT的字线驱动电压WL_VDD；当开关K2闭合时，所述高压产生模组基于所述基准电压产生的大于内核逻辑电压VCCINT的电压经由所述第一输出端输出作为字线驱动电压WL_VDD。

7.根据权利要求6所述的电压管理电路，其特征在于，所述电压管理电路还包括低压产生模组，所述基准电压模组生成的所述基准电压Vref还提供给所述低压产生模组；

所述电压管理电路的第二输出端通过开关K3连接所述高压产生模组的输出端，所述第二输出端通过开关K4连接内核逻辑电压VCCINT，所述第二输出端通过开关K5连接所述低压产生模组的输出端；开关K3、开关K4和开关K5在同一时刻仅有一个开关处于闭合状态；

当开关K3闭合时，所述高压产生模组基于所述基准电压产生的大于内核逻辑电压VCCINT的电压经由所述第二输出端输出作为供电电压SRAM_VDD；当开关K4闭合时，所述电压管理电路通过所述第二输出端输出等于内核逻辑电压VCCINT的供电电压SRAM_VDD；当开关K5闭合时，所述低压产生模组基于所述基准电压产生的小于内核逻辑电压VCCINT的电压经由所述第二输出端输出作为供电电压SRAM_VDD。