[发明专利]含有Zn-N-C活性中心的纳米材料在去除细菌生物膜中的应用有效
申请号: | 202211181757.6 | 申请日: | 2022-09-27 |
公开(公告)号: | CN115532295B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | 李瑞宾;高梦;郑会珍;刘曦;潘嘉琦 | 申请(专利权)人: | 苏州大学 |
主分类号: | B01J27/24 | 分类号: | B01J27/24;A01N59/16;A01P1/00;C09D5/14 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 杨慧林 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 zn 活性中心 纳米 材料 去除 细菌 生物膜 中的 应用 | ||
1.含有Zn-N-C活性中心的纳米材料在去除细菌生物膜中的应用;
所述含有Zn-N-C活性中心的纳米材料通过以下方法制备得到:将金属有机框架化合物在惰性氛围中煅烧后,得到所述含有Zn-N-C活性中心的纳米材料;
所述细菌为革兰氏阴性菌。
2.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述含有Zn-N-C活性中心的纳米材料为介孔球形或二维片层结构;所述含有Zn-N-C活性中心的纳米材料的尺寸为50 nm-800 nm;所述含有Zn-N-C活性中心的纳米材料的表面电荷为-25 eV到+25 eV。
3.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述金属有机框架化合物选自ZIF-8、MIL-101和PCN-222中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述煅烧的温度为600 ℃-1000 ℃;所述煅烧时间为1 h-24 h。
5.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述含有Zn-N-C活性中心的纳米材料具有类酯酶活性,可以催化酯类化合物的水解反应。
6.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述含有Zn-N-C活性中心的纳米材料的浓度为50 μg/mL-1000 μg/mL。
7.根据权利要求1所述的应用,其特征在于,所述革兰氏阴性菌选自大肠杆菌、哈氏弧菌、费氏弧菌、铜绿假单胞菌、沙门氏菌、根瘤土壤杆菌、恶臭假单胞菌和沙雷氏菌中的一种或多种。
8.一种去除细菌生物膜的制剂,其特征在于,包括权利要求1中所述含有Zn-N-C活性中心的纳米材料。
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