[发明专利]硫化铜钴/聚3,4-乙撑二氧噻吩复合电极材料及其制备方法在审
申请号: | 202211182582.0 | 申请日: | 2022-09-27 |
公开(公告)号: | CN116013700A | 公开(公告)日: | 2023-04-25 |
发明(设计)人: | 李宝铭;张璇;雷鑫;吴康迪 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | H01G11/48 | 分类号: | H01G11/48;H01G11/86 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 刘佳;蔡学俊 |
地址: | 350108 福建省福州市*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硫化铜 二氧 噻吩 复合 电极 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种硫化铜钴/聚3,4-乙撑二氧噻吩复合电极材料的制备方法,其特征在于:先以三水合硝酸铜、六水合硝酸钴、硫代乙酰胺和3,4-乙撑二氧噻吩为原料,通过溶剂热法制备硫化铜钴/3,4-乙撑二氧噻吩复合材料,再以所得硫化铜钴/3,4-乙撑二氧噻吩复合材料为载体,3,4-乙撑二氧噻吩为单体,过硫酸铵为氧化剂,经氧化聚合反应制得所述复合电极材料。
2.根据权利要求1所述的硫化铜钴/聚3,4-乙撑二氧噻吩复合电极材料的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)将0.5~1 g三水合硝酸铜、1~3 g六水合硝酸钴、0.5~2 g硫代乙酰胺和1~2 g 3,4-乙撑二氧噻吩加入到300~500 mL混合溶剂中,于室温下,先机械搅拌30~60 min,再超声混合30~60 min,然后将所得混合液转移到高压反应釜中,于160~200 ℃下反应8~12 h,再经冷却、过滤、洗涤、真空干燥,制得硫化铜钴/3,4-乙撑二氧噻吩复合材料;
(2)将1~3 g步骤(1)制得的硫化铜钴/3,4-乙撑二氧噻吩复合材料加入到50~100 mL去离子水中,于室温下,先机械搅拌30~60 min,再超声1~2 h后,加入1~6 g 3,4-乙撑二氧噻吩,先机械搅拌30~60 min,再超声分散1~2 h,然后以10~20滴/min的速度向该混合分散液中逐滴滴加50~100 mL过硫酸铵盐酸溶液,于室温下机械搅拌12~36 h,经甲醇沉淀、过滤、洗涤、真空干燥,制得所述硫化铜钴/聚3,4-乙撑二氧噻吩复合电极材料。
3.根据权利要求2所述的硫化铜钴/聚3,4-乙撑二氧噻吩复合电极材料的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述混合溶剂是以乙二醇和乙醇按体积比1:2~2:1混合制成。
4. 根据权利要求2所述的硫化铜钴/聚3,4-乙撑二氧噻吩复合电极材料的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述过硫酸铵盐酸溶液中,过硫酸铵的浓度为0.5 mol/L,盐酸的浓度为0.2 mol/L,溶剂为去离子水。
5.一种如权利要求1~4任一所述方法制备的硫化铜钴/聚3,4-乙撑二氧噻吩复合电极材料。
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