[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括隔离结构和由所述隔离结构定义的有源区；

对所述衬底执行第一刻蚀工艺，以形成暴露出所述有源区的凹槽，所述有源区被所述凹槽暴露出来的部分定义为接触区；

执行第一表面处理工艺，以平坦化所述接触区的表面；

形成第一接触材料层，所述第一接触材料层至少覆盖所述凹槽的侧壁和底部；

执行第二刻蚀工艺，去除所述第一接触材料层位于所述凹槽底部的部分，以将所述接触区暴露出来；

执行第二表面处理工艺，以平坦化所述接触区的表面；

形成第二接触材料层，所述第二接触材料层至少覆盖所述第一接触材料层的侧壁并填充所述凹槽。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一表面处理工艺和所述第二表面处理工艺至少之一包括：

采用第一湿法工艺氧化所述接触区的表面；

采用第一干法工艺将所述接触区的表面被氧化的部分去除。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述第一湿法工艺采用的试剂包括双氧水溶液。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一表面处理工艺和所述第二表面处理工艺至少之一包括：

采用第二湿法工艺氧化所述接触区的表面并将所述接触区的表面被氧化的部分去除；

采用第二干法工艺去除第二湿法工艺后的残留物。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述第二湿法工艺采用的试剂包括臭氧化氢氟酸溶液。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一表面处理工艺和所述第二表面处理工艺至少之一包括：

采用第三干法工艺氧化所述接触区的表面；

采用清洗工艺去除所述第三干法工艺后的残留物；

采用第四干法工艺将所述接触区的表面被氧化的部分去除。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一接触材料层和所述第二接触材料层的材料相同，所述第一接触材料层和所述第二接触材料层共同形成接触材料层。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述接触材料层的材料包括多晶态半导体材料。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，在形成所述第二接触材料层之后，所述制备方法还包括：

对所述接触材料层进行减薄处理，并对减薄后的所述接触材料层进行掺杂处理，以得到接触层；

执行第三表面处理工艺，以平坦化所述接触层的表面。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂处理包括离子注入处理和退火处理。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第三表面处理工艺包括：

采用第一湿法工艺氧化所述接触层的表面；

采用第一干法工艺将所述接触层的表面被氧化的部分去除。

12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第三表面处理工艺包括：

采用第二湿法工艺氧化所述接触层的表面并将所述接触层的表面被氧化的部分去除；

采用第二干法工艺去除第二湿法工艺后的残留物。

13.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第三表面处理工艺包括：

采用第三干法工艺氧化所述接触层的表面；

采用第四干法工艺将所述接触层的表面被氧化的部分去除。