[发明专利]一种大豆种植方法在审
申请号: | 202211184573.5 | 申请日: | 2022-09-27 |
公开(公告)号: | CN115474522A | 公开(公告)日: | 2022-12-16 |
发明(设计)人: | 耿胡床 | 申请(专利权)人: | 耿胡床 |
主分类号: | A01G22/40 | 分类号: | A01G22/40;A01C1/00;A01C1/06 |
代理公司: | 北京博识智信专利代理事务所(普通合伙) 16067 | 代理人: | 刘巍 |
地址: | 154604 黑龙江*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大豆 种植 方法 | ||
1.一种大豆种植方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)种子处理:选用翻秋良种,选好种子后,将其放在布袋中晾晒1天,然后采用小功率超声波处理,再将大豆种子与根瘤菌剂进行掺拌;
(2)整地:大豆在播种前深耕整地并结合施有机肥,反复耙碎,土地平整,播种前浅耕灭茬;
(3)起垄方式:大垄宽幅为130厘米,大垄采用六行苗带种植方式,苗带总宽80cm,苗带间距16cm;
(4)播种方式:土壤含水量为田间持水量的70-80%时播种,播深2-3cm,利用大豆播种机进行等距精量点播,使植株分布均匀,苗株间距采用如下公式进行计算:总长(cm)/(公顷株数/公顷平方米*垄宽(m)/苗带行数);
(5)生长管理:大豆出苗后进行查苗、缺苗补苗,确保苗全,并及时间苗,剔除疙瘩苗,达到苗全、苗壮,补苗时可以补种或芽苗移栽;间苗后立即进行中耕锄草,全生育期最少中耕3~4遍,中耕随根系生长状况按照由浅到深再浅的方式进行;在大豆有4—6片复叶时,用矮壮素溶液喷施,到初花期再用矮壮素溶液喷一次,出苗后二十天左右喷一次吡虫啉;从开花到结荚,鼓粒之间,再喷两次阿维菌素和吡虫啉。
2.根据权利要求1所述的一种大豆种植方法,其特征在于:所述步骤一中根瘤菌剂与大豆种子的掺拌比例为1:30。
3.根据权利要求1所述的一种大豆种植方法,其特征在于:所述步骤四中,苗带总宽误差不超过10cm,苗带间距误差超过2cm。
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