[发明专利]改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型及其构建方法

权利要求书

1.一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型的构建方法，包括如下步骤：

步骤101，测量所述齐纳二极管的正向和反向特性，获取电流Ij与结电压Vj的对应数据，阴极n端和阳极p端间电压v(n,p)；

步骤102，根据步骤101的实测数据，调整模型参数确保正向电流特性仿真数据和实测数据吻合，再用拟合方法得到施加反向电压时的反向电流与所述齐纳二极管的阴极n端和阳极p端间电压v(n,p)的关系的数学表达式，从而得到一反向电阻值；

步骤103，根据所述反向电阻值得到一用于调节反向击穿电流的电阻r1，在所述齐纳二极管的原子电路模型中增加一个中间端头p1，在所述齐纳二极管的阳极p端和中间端头p1端间增加所述用于调节反向击穿电流的电阻r1，而所述中间端头p1端和所述齐纳二极管的阴极n端保持原电路，构建所述齐纳二极管的新的子电路模型。

2.如权利要求1所述的一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型的构建方法，其特征在于，于步骤102中，施加反向电压时所述反向电阻值r2＝rbv。

3.如权利要求2所述的一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型的构建方法，其特征在于：于步骤103中，所述用于调节反向击穿电流的电阻r1的阻值为rbv*(sgn(v(n,p))+1)/2，其中符号函数sgn(x)在x大于0时返回1，等于0时返回0，而在小于0时返回-1，v(n,p)为所述齐纳二极管n端和p端间电压。

4.如权利要求3所述的一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型的构建方法，其特征在于：当阴极n端和阳极p端间电压为正，即所述齐纳二极管反向偏置时，阳极p端和中间端头p1之间的用于调节反向击穿电流的电阻r1为r2＝rbv，用于调节反向击穿电流。

5.如权利要求3所述的一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型的构建方法，其特征在于：当阴极n端和阳极p端间电压为0，阳极p端和中间端头p1之间的用于调节反向击穿电流的电阻r1为rbv/2。

6.如权利要求3所述的一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型的构建方法，其特征在于：当阴极n端和阳极p端间电压为负，即所述齐纳二极管正向偏置时，阳极p端和中间端头p1之间的用于调节反向击穿电流的电阻r1为0，电路等效为原模型，正向导通电流仍由原子电路模型中电阻调节参数rs调节。

7.一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型，其特征在于：在所述齐纳二极管的原子电路模型中增加一个中间端头p1，在所述齐纳二极管的阳极p端和所述中间端头p1端间增加用于调节反向击穿电流的电阻r1，而所述中间端头p1端和所述齐纳二极管的阴极n端保持原电路。

8.如权利要求7所述的一种改善齐纳二极管反向电流特性的子电路模型，其特征在于：所述用于调节反向击穿电流的电阻r1的阻值为rbv*(sgn(v(n,p))+1)/2，其中符号函数sgn(x)在x大于0时返回1，等于0时返回0，而在小于0时返回-1，v(n,p)为所述齐纳二极管n端和p端间电压。