[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本发明提供的一种半导体结构及其制造方法，由于依次采用两次刻蚀工艺刻蚀氧化层以形成沟槽，同时两次刻蚀工艺采用50mT～100mT的高压。进而使得刻蚀过程中的等离子体具有横向刻蚀的能力，不仅能够去除残留聚合物，同时可以使等离子体在反应腔里产生更多碰撞，以减少轰击能量，改善刻蚀的均匀性，以避免器件失效。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构及其制造方法。

背景技术

近年来，随着微机电系统(Micro-Electrico-Mechanical-System，MEMS)技术的发展，各种微机电装置，包括：微传感器、微致动器等实现了微小型化，微小型化有利于提高器件集成度，因此MEMS成为了主要的发展方向之一。

现如今，利用各向异性磁阻(anisotropic magnet resistive，AMR)制造的微机电系统具有灵敏度高、热稳定性好、材料成本低、制备工艺简单等特点，已经得到了广泛的应用。因此，MESM器件的性能提升越来越重要。

而在现有的制造MESM器件的工艺中，在至少对MEMS器件最顶层的氧化层进行刻蚀形成沟槽时，沟槽的底部形成大量的聚合物，这些聚合物堆积在沟槽的中间位置，阻挡了氧化层的进一步刻蚀，因此在沟槽底部的两侧形成了微沟槽。而位于沟槽底部中间位置的聚合物阻挡了后续的连接线与金属层的连接，即产生断线问题，导致器件失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体结构及其制造方法，以解决现有的MESM器件出现断线异常，进而导致器件失效的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种闪存存储器的制造方法，包括：

提供衬底；

提供衬底；

在所述衬底上依次形成金属层和氧化层，所述氧化层的顶部具有缺口；

对所述氧化层依次执行第一刻蚀工艺和第二刻蚀工艺，以刻蚀所述氧化层并扩大所述缺口以形成至少贯穿所述氧化层的沟槽，其中，所述第一刻蚀工艺和所述第二刻蚀工艺的的压力范围为：50mT～100mT。

优选的，执行所述第一刻蚀工艺和执行所述第二刻蚀工艺的时间相同。

优选的，所述第一刻蚀工艺和所述第二刻蚀工艺的刻蚀气体为甲烷、氧气以及氩气的混合气体。

优选的，所述甲烷的流量为：50SCCM～250SCCM，所述氧气的流量为：10SCCM～30SCCM，所述氩气的气体流量为：0SCCM～200SCCM。

优选的，在执行所述第一刻蚀工艺之后，执行所述第二刻蚀工艺之前，所述方法还包括：执行泵出工艺，以将在执行所述第一刻蚀工艺过程中，形成在所述沟槽内的聚合物抽离所述沟槽。

优选的，所述泵出工艺的压力为40mT～80MT。

优选的，所述泵出工艺的刻蚀气体为氧气和氩气。

优选的，所述氧气的流量为：20SCCM～100SCCM，所述氩气的气体流量为：50SCCM～200SCCM。

优选的，所述金属层包括依次形成在所述衬底上的第一金属层和第二金属层；以及在对所述氧化层执行第二刻蚀工艺的同时，所述方法还包括：刻蚀所述第二金属层，以使所述沟槽至少延伸至所述第二金属层。

为解决上述问题，本发明还提供一种半导体结构，根据上述任意一项所述的半导体结构的制造方法制备而成。