[发明专利]一种实现温度梯度分布测量的传感器及制备方法在审
申请号: | 202211186086.2 | 申请日: | 2022-09-27 |
公开(公告)号: | CN115560870A | 公开(公告)日: | 2023-01-03 |
发明(设计)人: | 王晓晶;罗晓亮;王浩旭;崔辛;张佩佩;胡振峰;梁秀兵 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院 |
主分类号: | G01K7/02 | 分类号: | G01K7/02;G01K1/08 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王治东 |
地址: | 100071 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实现 温度梯度 分布 测量 传感器 制备 方法 | ||
1.一种实现温度梯度分布测量的传感器,其特征在于,包括:前端的针形温度测头和后端的焊盘区,所述传感器从下到上依次包括基底层和热电偶薄膜层;
所述热电偶薄膜层包括分别作为正负极的单个第一热电偶薄膜和多个第二热电偶薄膜;
所述第一热电偶薄膜和第二热电偶薄膜均与焊盘区连接,且单个所述第一热电偶薄膜和多个所述第二热电偶薄膜分别在多个节点处搭接,形成多个沿针形方向间隔排布的热电偶测温节点。
2.根据权利要求1所述的传感器,其特征在于,所述传感器还包括:防护薄膜层,所述防护薄膜层设置于所述热电偶薄膜层之上。
3.根据权利要求2所述的传感器,其特征在于,包括:
所述焊盘区设置有多个焊盘;
所述焊盘的数量与所述第一热电偶薄膜和第二热电偶薄膜的数量之和相同,且所述第一热电偶薄膜和第二热电偶薄膜分别与对应的焊盘相连接。
4.根据权利要求3所述的传感器,其特征在于,
所述防护薄膜层在焊盘区域形成有开口,以外接输出引线。
5.根据权利要求3所述的传感器,其特征在于,包括:所述焊盘区还设置有与所述焊盘连接的热敏薄膜电阻,用于冷端温度补偿。
6.一种实现温度梯度分布测量的传感器的制备方法,其特征在于,包括:
基底层预处理;
在基底层上进行沉积与图形化处理,形成单个第一热电偶薄膜;
在沉积有所述第一热电偶薄膜的基底层上进行沉积与图形化处理,形成多个第二热电偶薄膜;其中,单个所述第一热电偶薄膜和多个所述第二热电偶薄膜均与焊盘区连接,且分别在多个节点处搭接,形成多个沿针形方向间隔排布的热电偶测温节点;
对沉积有第一热电偶薄膜和所述第二热电偶薄膜的基底层进行激光切割,得到所述传感器。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在基底层上进行沉积与图形化处理,形成单个第一热电偶薄膜,包括:
在所述基底层上旋涂光刻胶,形成具有第一开口区域的第一光刻胶层;
在基底层上沉积第一热电偶薄膜材料;
通过湿法剥离工艺,将覆有第一热电偶薄膜材料的基底层浸入丙酮溶液中进行湿法剥离,去除第一光刻胶层,形成图形化的第一热电偶薄膜。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,在沉积有所述第一热电偶薄膜的基底层上进行沉积与图形化处理,形成多个第二热电偶薄膜,包括:
在所述基底层上继续旋涂光刻胶,在针形温度测头部分形成具有多个第二开口区域的第二光刻胶层;其中,第二开口区域中具有至少部分第一热电偶薄膜;
在基底层上沉积第二热电偶薄膜材料;
通过湿法剥离工艺,将沉积有第二热电偶薄膜材料的基底层浸入丙酮溶液中进行湿法剥离,去除第二光刻胶层,形成图形化的第二热电偶薄膜;其中,第二热电偶薄膜和第一热电偶薄膜在多个所述第二开口区域处搭接,形成多个所述热电偶测温节点。
9.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在沉积第二热电偶薄膜材料之后,所述方法还包括:
将沉积有第一热电偶薄膜和第二热电偶薄膜的基底层上沉积防护层材料,形成防护薄膜层。
10.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述方法还包括:
所述防护薄膜层在焊盘区域通过光刻胶掩膜图形化与干法刻蚀形成开口,以外接输出引线。
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