[发明专利]一种基于GaAs Bi-Hemt工艺的宽带放大器芯片

权利要求书

1.一种基于GaAs Bi-Hemt工艺的宽带放大器芯片，其特征在于，包括第一Lange电桥、第二Lange电桥、第一高增益分布式放大器和第二高增益分布式放大器；

所述第一Lange电桥的输入端作为宽带高功率放大器芯片的射频输入端，其第一输出端与第二高增益分布式放大器的第一输入端连接，其第二输出端与第一高增益分布式放大器的第一输入端连接；

所述第二Lange电桥的输出端作为宽带高功率放大器芯片的射频输出端，其第一输入端与第二高增益分布式放大器的输出端连接，其第二输入端与第一高增益分布式放大器的输出端连接；

所述第一高增益分布式放大器的第二输入端与第二高增益分布式放大器的第二输入端连接；

所述第一高增益分布式放大器包括电阻Rg1、电阻Rg2、接地电阻Rg3、电阻Rg4、电阻R1、接地电阻R2、接地电阻R3、接地电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7、电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、电阻R12、接地电阻R13、电阻R14、接地电容Cg1、电容Cg2、电容C1、接地电容C2、接地电容C3、接地电容C4、接地电容C5、接地电容C6、接地电容C7、电容C8、电感LQ1、电感LQ2、电感LQ3、电感LQ4、电感LQ5、电感LQ6、电感LQ7、电感LQ8、微带线TL2、三极管Hg1、三极管Hg2、三极管Hg3、三极管H1、三极管H2、三极管H3、场效应管M1、场效应管M2、场效应管M3、场效应管M4、场效应管M5和场效应管M6；

所述电容C1的一端作为第一高增益分布式放大器的第一输入端，其另一端分别与电阻R1的一端、场效应管M1的栅极和电感LQ1的一端连接；所述三极管Hg1的基极分别与电阻Rg1的一端、电阻Rg2的一端、接地电容Cg1和三极管Hg2的集电极连接；所述三极管Hg1的集电极分别与电阻Rg1的另一端、电阻R14的一端、电阻R12的一端、电感LQ3的一端和电感LQ6的一端连接；所述电阻R14的另一端和接地电容C6连接；所述三极管Hg1的发射极分别与电容Cg2的一端和电阻Rg4的一端连接；所述三极管Hg2的基极和电阻Rg2的另一端连接；所述三极管Hg2的发射极分别与三极管Hg3的基极和三极管Hg3的集电极连接；所述三极管Hg3的发射极和接地电阻Rg3连接；所述电容Cg2的另一端分别与电阻Rg4的另一端、电阻R7的一端、电阻R9的一端和电阻R11的一端连接；所述电阻R1的另一端分别与电阻R12的另一端和接地电阻R13连接；所述三极管H1的基极和电阻R6的一端连接；所述电阻R6的另一端分别与接地电容C2和电阻R7的另一端连接；所述三极管H1的集电极和电感LQ3的另一端连接；所述三极管H1的发射极分别与场效应管M1的漏极和场效应管M2的漏极连接；所述三极管H2的基极和电阻R8的一端连接；所述电阻R8的另一端分别与接地电容C3和电阻R9的另一端连接；所述三极管H2的集电极和电感LQ4的一端连接；所述三极管H2的发射极分别与场效应管M3的漏极和场效应管M4的漏极连接；所述三极管H3的基极和电阻R10的一端连接；所述电阻R10的另一端分别与接地电容C4和电阻R11的另一端连接；所述三极管H3的集电极和电感LQ5的一端连接；所述三极管H3的发射极分别与场效应管M5的漏极和场效应管M6的漏极连接；所述电感LQ6的另一端分别与电感LQ4的另一端和电感LQ7的一端连接；所述电感LQ7的另一端分别与电感LQ5的另一端、电感LQ8的一端和电容C8的一端连接；所述电感LQ8的另一端作为第一高增益分布式放大器的第二输入端，并分别与接地电容C7和微带线TL2的一端连接；所述微带线TL2的另一端和馈电端口VD2连接；所述电容C8的另一端作为第一高增益分布式放大器的输出端；所述场效应管M1的源极分别与接地电阻R2和场效应管M2的栅极连接；所述场效应管M3的栅极分别与电感LQ1的另一端和电感LQ2的一端连接；所述场效应管M3的源极分别与接地电阻R3和场效应管M4的栅极连接；所述场效应管M5的栅极分别与电感LQ2的另一端和电阻R5的一端连接；所述场效应管M5的源极分别与接地电阻R4和场效应管M6的栅极连接；所述场效应管M2的源极、场效应管M4的源极和场效应管M6的源极均接地；

所述第二高增益分布式放大器包括电阻Rg5、电阻Rg6、接地电阻Rg7、电阻Rg8、电阻R15、接地电阻 R16、接地电阻 R17、接地电阻 R18、电阻 R19、电阻 R20、电阻 R21、电阻R22、电阻 R23、电阻 R24、电阻 R25、电阻 R26、电阻 R27、电阻 R28、接地电容Cg3、电容Cg4、电容C9、接地电容C10、接地电容C11、接地电容C12、接地电容C13、接地电容C14、接地电容C15、电容C16、电感LQ9、电感LQ10、电感LQ11、电感LQ12、电感LQ13、电感LQ14、电感LQ15、电感LQ16、微带线TL3、微带线TL4、三极管Hg4、三极管Hg5、三极管Hg6、三极管H5、三极管H6、三极管H8、场效应管M9、场效应管M10、场效应管M11、场效应管M12、场效应管M15和场效应管M16；

所述电容C9的一端作为第二高增益分布式放大器第一输入端，其另一端分别与电感LQ9的一端、场效应管M9的栅极和电阻R15的一端连接；所述场效应管M9的漏极分别与场效应管M10的漏极和三极管H15的发射极连接；所述场效应管M9的源极分别与接地电阻R16和场效应管M10的栅极连接；所述场效应管M11的栅极分别与电感LQ9的另一端和电感LQ10的一端连接；所述场效应管M11的漏极分别与场效应管M12的漏极和三极管H6的发射极连接；所述场效应管M11的源极分别与接地电阻R17和场效应管M12的栅极连接；所述场效应管M15的栅极分别与电感LQ10的另一端和电阻R25的一端连接；所述场效应管M15的漏极分别与场效应管M16的漏极和三极管H8的发射极连接；所述场效应管M15的源极分别与接地电阻R18和场效应管M16的栅极连接；所述场效应管M10的源极、场效应管M12的源极和场效应管M16的源极均接地；所述电阻R25的另一端和接地电容C13连接；所述三极管Hg4的基极分别与接地电容Cg3、电阻Rg6的一端、三极管Hg5的集电极和电阻Rg5的一端连接；所述三极管Hg4的集电极分别与电阻Rg5的另一端、电阻R26的一端、电感LQ11的一端、电感LQ13的一端和电阻R28的一端连接；所述电阻R28的另一端和接地电容C14连接；所述三极管Hg4的发射极分别与电容Cg4的一端和电阻Rg8的一端连接；所述三极管Hg5的基极和电阻Rg6的另一端连接；所述三极管Hg5的发射极分别与三极管Hg6的基极和三极管Hg6的集电极连接；所述三极管Hg6的发射极和接地电阻Rg7连接；所述三极管H5的基极和电阻R19的一端连接；所述电阻R19的另一端分别与电阻R20的一端和接地电容C10连接；所述三极管H5的集电极和电感LQ11的另一端连接；所述三极管H6的基极和电阻R21的一端连接；所述电阻R21的另一端分别与电阻R22的一端和接地电容C11连接；所述三极管H6的集电极和电感LQ12的一端连接；所述三极管H8的基极和电阻R23的一端连接；所述电阻R23的另一端分别与电阻R24的一端和接地电容C12连接；所述三极管H8的集电极和电感LQ16的一端连接；所述电感LQ13的另一端分别与电感LQ12的另一端和电感LQ14的一端连接；所述电感LQ14的另一端分别与电感LQ16的另一端、电感LQ15的一端和电容C16的一端连接；所述电容Cg4的另一端分别与电阻Rg8的另一端、电阻R20的另一端、电阻R22的另一端和电阻R24的另一端连接；所述电阻R15的另一端分别与电阻R26的另一端和接地电阻R27连接；所述电感LQ15的另一端分别与接地电容C15、微带线TL3的一端和微带线TL4的一端连接；所述微带线TL4的另一端和馈电端口VD1连接；所述电容C16的另一端作为第二高增益分布式放大器的输出端；所述微带线TL3的另一端作为第二高增益分布式放大器的第二输入端。