[发明专利]适用于一个硅通路的双向信号采集电路及集成电路

权利要求书

1.一种适用于一个硅通路的双向信号采集电路，其特征在于，包括：

并联设置于每一个芯片处的第一元器件和第二元器件，所述第一元器件用于使信号按照第一方向传递，所述第二元器件用于使信号按照第二方式传递；

所述第一元器件和第二元器件分别与连接线连接，第一元器件和第二元器通过所述连接线与相邻的芯片的硅通路连接；

第一锁存器和/或第二锁存器，分别与所述第一元器件和/或第二元器连接，用于对第一元器件和/或第二元器在每个时刻所采集的信号进行记录。

2.根据权利要求1所述的适用于一个硅通路的双向信号采集电路，其特征在于，

所述第一元器件为第一三态门，所有芯片的第一三态门的输入、输出排列方式相同；

所述第一三态门具有第一信号输出线，所述信号输出线与所述第一锁存器连接，所述第一锁存器用于对流经所述第一三态门的第一信号进行存储。

3.根据权利要求1所述的适用于一个硅通路的双向信号采集电路，其特征在于，

所述第二元器件为第二三态门，所有芯片的第二三态门的输入、输出排列方式相同；

所述第二三态门具有信号输出线，所述第二信号输出线与所述第二锁存器连接，所述第二锁存器用于对流经所述第二三态门的第二信号进行存储。

4.根据权利要求1所述的适用于一个硅通路的双向信号采集电路，其特征在于，还包括：

信号发生装置，用于创建锁存器的时钟信号，RSTB全局信号为低电平时，第一三态门打开，第一信号通过所述硅通路和第一元器件由基底处的芯片传递至顶层的芯片，全局信号RSTB的上升沿创建时钟信号，该时钟信号传递给第一锁存器，以存储第一信号。

5.根据权利要求4所述的适用于一个硅通路的双向信号采集电路，其特征在于，

RSTB全局信号为高电平时，第二三态门打开，第二信号通过所述硅通路和第二元器件由顶层的芯片传递至基底处的芯片，所述RSTB延迟的上升沿创建时钟信号，该时钟信号传递给第二锁存器，以存储第二信号。

6.根据权利要求1所述的适用于一个硅通路的双向信号采集电路，其特征在于，还包括：

信号发生装置，用于创建锁存器的时钟信号。RSTB全局信号为低电平时，第一三态门打开，第一信号通过所述硅通路和第一元器件由基底处的芯片传递至顶层的芯片，芯片内部电源系统READY信号的上升沿创建时钟信号，该时钟信号传递给第一锁存器，以存储第一信号。

7.根据权利要求4所述的适用于一个硅通路的双向信号采集电路，其特征在于，

RSTB全局信号为高电平时，第二三态门打开，第二信号通过所述硅通路和第二元器件由顶层的芯片传递至基底处的芯片；所述RSTB延迟的上升沿创建时钟信号，该时钟信号传递给第二锁存器，以存储第二信号。

8.一种集成电路，包括上述权利要求1至7中任意一项所述的适用于一个硅通路的双向信号采集电路，其特征在于，包括：

多层硅板，其中每层硅板中设置有多个芯片；

每个芯片中分别设置有所述双向信号采集电路；

任意两个相邻层的硅板通过硅通路建立电连接关系，双向信号采集电路基于所述硅通路与垂直、相邻的芯片连接。