[发明专利]一种钙钛矿太阳电池

权利要求书

1.一种钙钛矿太阳电池，其特征在于，包括由下到上依次层叠设置的底层基板、底电极层、空穴传输层、钝化层、钙钛矿光活性层、界面修饰层、电子传输层、缓冲层和顶电极层；

所述界面修饰层的材料为双(2-羟乙基)二甲基氯化铵。

2.如权利要求1所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池为P-I-N型钙钛矿太阳电池；

所述钙钛矿太阳电池为宽带隙钙钛矿太阳电池或宽带隙钙钛矿基叠层太阳电池；

所述钙钛矿太阳电池的带隙为1.6～1.72eV。

3.如权利要求1或2所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述底电极层为ITO透明电极层、FTO透明电极层、AZO透明电极层、IGZO透明电极层、石墨烯-氧化物电极和氧化物-金属-氧化物多层复合透明电极中的一种或几种；

所述石墨烯-氧化物电极中的氧化物或所述氧化物-金属-氧化物多层复合透明电极中的氧化物独立的包括铋氧化物、钼氧化物、钨氧化物、锡氧化物、钛氧化物、镍氧化物和锌氧化物中的一种或几种；

所述氧化物-金属-氧化物多层复合透明电极中的金属包括金、银、铜和铝中的一种或几种。

4.如权利要求1或2所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述顶电极层为金属电极和/或碳材料电极；

所述缓冲层的材料包括BCP、Cu₂O、钼氧化物、PEI、SnO₂、Zr(AC)₄、TPBi和纳米ZnO中的一种或几种。

5.如权利要求4所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述金属电极的材料包括金、银、铜和铝中的一种或几种；

所述碳材料电极的碳材料包括炭黑、石墨和多壁碳纳米管中的一种或几种。

6.如权利要求1所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述底层基板为透明玻璃、柔性PET基板、柔性PEN基板、Si底电池、CIGS底电池、CZTS底电池、PSC底电池和CdTe底电池中的一种或几种。

7.如权利要求1所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述空穴传输层的材料为PTAA、Spiro-TTB、氮氧化物、富勒烯衍生物和自限式单分子层中的一种或几种；

所述自限式单分子层的材料包括[2-(3,6-二甲氧基-9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸、[4-(3,6-二甲基-9H-咔唑-9-基)丁基]磷酸和[2-(9H-咔唑-9-基)乙基]膦酸中的一种或几种；

所述电子传输层的材料为SnO₂、TiO₂、ZnO、PCBM、C₆₀、氧化锌锡、石墨烯中的一种或多种。

8.如权利要求1所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿光活性层的材料为ABX₃型钙钛矿半导体材料；

其中，A为烷基胺、烷基脒和碱族元素中的一种或几种，所述碱族元素为铷和/或铯；B为铅；X为碘、溴和氯中的一种或几种。

9.如权利要求1所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述界面修饰层的制备方法包括以下步骤：

将双(2-羟乙基)二甲基氯化铵和有机溶剂混合，得到浆料；

将所述浆料涂布在所述钙钛矿光活性层的表面后，进行退火，得到所述界面修饰层。

10.如权利要求9所述钙钛矿太阳电池，其特征在于，所述涂布的方式为旋涂，所述旋涂的转速为3000～7000rpm；

所述退火的温度为100～130℃，时间为5～15min。