[发明专利]功率器件栅氧化层可靠性评估方法在审
| 申请号： | 202211191765.9 | 申请日： | 2022-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN115684859A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 和巍巍;汪之涵;唐宏浩 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾柳燕 |
| 地址： | 518118 广东省深圳市坪山区坑梓街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 器件 氧化 可靠性 评估 方法 | ||
1.一种功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，包括：
在多个功率器件的栅极施加电压，以在预设温度下进行预设时间的高温栅偏压试验；
测试经过所述高温栅偏压试验后的所述功率器件的静态参数，并剔除处于失效状态的功率器件；
确认所述多个功率器件是否失效；
若所述多个功率器件没有失效，则将未失效功率器件的栅极电压以预设梯度进行递增，并在预设温度下进行预设时间的高温栅偏压试验，直到所述多个功率器件全部失效；
对失效的功率器件进行剖片分析并进行失效类型判定；
处理所述多个功率器件的失效情况并计算故障率。
2.根据权利要求1所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，
所述功率器件的静态参数包括所述功率器件在关断状态下的栅极电阻以及栅极的漏电流。
3.根据权利要求2所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，
当所述功率器件的栅极的漏电流大于第一阈值时，确认所述功率器件处于失效状态。
4.根据权利要求1-3任意一项所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，
所述功率器件的静态参数包括所述功率器件在关断状态下的源漏极的漏电流。
5.根据权利要求4所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，
当所述功率器件的源漏极的漏电流大于第二阈值，确认所述功率器件处于失效状态。
6.根据权利要求1所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，
当所述功率器件处于失效状态时，栅氧化层厚度变薄的所述功率器件为外部失效。
7.根据权利要求1或6所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，
当所述功率器件处于失效状态时，栅氧化层厚度没有变薄的所述功率器件为本征失效。
8.根据权利要求1所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，在对失效的功率器件进行剖片分析之后，还包括：
绘制处于失效状态的所述功率器件与栅极电压之间的关系图。
9.根据权利要求1所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，在对在多个功率器件的栅极施加电压之前，还包括：
测试多个功率器件在初始状态下的静态参数。
10.根据权利要求1所述的功率器件栅氧化层可靠性评估方法，其特征在于，
所述功率器件为金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件。
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