[发明专利]一种用于处理含Cr(VI)废液的催化剂及其制备方法在审
申请号: | 202211195566.5 | 申请日: | 2022-09-28 |
公开(公告)号: | CN115364899A | 公开(公告)日: | 2022-11-22 |
发明(设计)人: | 李本侠;杨晴;韩芳;陈磊;卢先春 | 申请(专利权)人: | 浙江理工大学 |
主分类号: | B01J31/06 | 分类号: | B01J31/06;B01J27/24;B01J35/10;C02F1/70;C08G83/00;C02F101/22 |
代理公司: | 安徽顺超知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 34120 | 代理人: | 高晓静 |
地址: | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 处理 cr vi 废液 催化剂 及其 制备 方法 | ||
本发明属于多相催化材料制备与应用技术领域,具体涉及一种用于处理含Cr(VI)废液的催化剂及其制备方法,该催化剂由富含配位基团的多孔聚多巴胺(PDA)修饰在g‑C3N4纳米片上所构成;制备方法是利用g‑C3N4纳米片分散在盐酸多巴胺前驱体溶液中,在添加造孔剂的条件下,多巴胺在g‑C3N4纳米片表面原位乳液聚合而成。其中g‑C3N4具有合适的能带结构,可以利用太阳光催化还原Cr(Ⅵ);多孔PDA含有丰富的配位基团,不仅可以对废液中的Cr(Ⅵ)进行有效吸附和富集以促进其在催化剂表面的高效还原,而且可以吸附去除还原产物——低毒性的Cr(Ⅲ),进一步降低废液中的Cr含量。本发明催化剂将PDA对铬离子的吸附富集功能和g‑C3N4对Cr(Ⅵ)的光还原能力结合起来,显著提升催化剂对Cr(Ⅵ)的还原和去除效率。
技术领域
本发明属于多相催化材料制备与应用技术领域,具体涉及一种用于处理含Cr(VI)废液的催化剂及其制备方法。
背景技术
铬(Cr)作为一种具有潜在毒害性的金属,主要来源于皮革鞣制、纺织印染、铬矿石幵采、合金材料加工、蓄电池应用、金属清洁和电镀等生产加工过程。高氧化态的Cr(Ⅵ)毒性最大,易溶于水,会随着河流、湖泊、地表水等在动植物体特别是人体内积累,易引发生物体病变甚至致癌。相比较而言,Cr(Ⅲ)的毒性比Cr(Ⅵ)低约300倍。把高毒性的Cr(Ⅵ)还原为低毒性的Cr(Ⅲ)可以降低Cr(Ⅵ)带来的危害。其中,利用光催化技术处理含Cr(Ⅵ)废液,可以利用太阳光将废液中的Cr(Ⅵ)还原成低价Cr(Ⅲ),是一种处理Cr(Ⅵ)废液的绿色环保方法。
石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种典型的不含金属元素的聚合物半导体,由于其原料来源丰富、易于制备、能带结构合适、稳定性好等优点,已经被广泛应用于光催化领域。但是单纯的g-C3N4表面活性基团较少,对铬离子的吸附能力较弱,不利于Cr(Ⅵ)在光催化剂表面富集。设计并制备表面含有丰富功能基团(如氨基)的光催化材料不仅可以对废液中的Cr(Ⅵ)进行有效吸附和富集以促进其在催化剂表面的高效还原,而且可以吸附还原产物——低毒性的Cr(Ⅲ),从而进一步降低废液中的Cr含量。
因此,如何设计并制备出表面含有丰富配位基团的g-C3N4基光催化材料,提高光催化还原Cr(Ⅵ)性能的同时还可以进一步降低溶液中的Cr含量,是光催化处理含Cr(Ⅵ)废液的重要技术问题。
发明内容
本发明的目的在于克服传统技术中存在的上述问题,提供一种用于处理含Cr(VI)废液的催化剂及其制备方法,该催化剂将聚多巴胺(PDA)对铬离子的吸附富集功能和g-C3N4对Cr(Ⅵ)的光还原能力结合起来,显著提升了催化剂对Cr(Ⅵ)的还原和去除效率。
为实现上述技术目的,达到上述技术效果,本发明是通过以下技术方案实现:
一种用于处理含Cr(VI)废液的催化剂,该催化剂是由多孔聚多巴胺修饰在g-C3N4纳米片表面上所构成。
进一步地,如上所述催化剂的制备方法,包括如下步骤:
1)称取一定量的尿素,在500~600℃空气氛围中煅烧2~4h,自然冷却至室温,得到g-C3N4粉体;
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