[发明专利]半导体制造装置用部件

说明书

本发明提供半导体制造装置用部件，在具备容许气体流通的多孔质插塞的半导体制造装置用部件的基础上，抑制杂质混入于晶片，并且，抑制气体的流通阻力增大。半导体制造装置用部件(10)具备：在上表面具有晶片载放面(21)的陶瓷板(20)、以及容许气体流通的多孔质插塞(50)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24)。多孔质插塞(50)具有：在晶片载放面(21)露出的第一多孔质部(51)、以及上表面由第一多孔质部51覆盖的第二多孔质部(52)。第一多孔质部(51)与第二多孔质部(52)相比，纯度高且厚度薄。第二多孔质部(52)与第一多孔质部(51)相比，气孔率高。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用部件。

背景技术

以往，作为半导体制造装置用部件，已知有具备在上表面具有晶片载放面的静电卡盘的部件。例如，专利文献1公开一种静电卡盘，该静电卡盘具备：陶瓷板，其对晶片进行吸附保持；贯通孔，该贯通孔形成于陶瓷板；多孔质插塞，其配置于贯通孔；以及导电性的冷却板，其粘接于陶瓷板的下表面。多孔质插塞的下表面与陶瓷板的下表面一致。利用等离子体对载放于晶片载放面的晶片进行处理的情况下，向冷却板与在晶片的上部所配置的平板电极之间施加高频电力，使晶片的上部产生等离子体。与此同时，为了使晶片和陶瓷板的热传导提高，将作为热传导气体的氦经由多孔质插塞而向晶片的背面供给。如果没有多孔质插塞，则随着氦电离而产生的电子加速，冲撞其他氦，发生电弧放电；不过，如果具有多孔质插塞，则电子在冲撞其他氦之前碰到多孔质插塞，所以，电弧放电得以抑制。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2019－29384号公报

发明内容

不过，多孔质插塞在晶片载放面露出，因此，如果多孔质插塞的纯度较低，则利用等离子体对晶片进行处理时，多孔质插塞的杂质有时会混入于晶片。另一方面，如果使多孔质插塞的纯度提高，则需要提高烧结温度，因此，很难使气孔率充分提高，氦变得难以流通。

本发明是为了解决上述课题而实施的，其主要目的在于，在具备容许气体流通的多孔质插塞的半导体制造装置用部件的基础上，抑制杂质混入于晶片，并且，抑制气体的流通阻力增大。

本发明的半导体制造装置用部件具备：

陶瓷板，该陶瓷板在上表面具有晶片载放面；以及

多孔质插塞，该多孔质插塞配置于沿着上下方向贯穿所述陶瓷板的插塞插入孔，且容许气体流通，

所述多孔质插塞具有：在所述晶片载放面露出的第一多孔质部、以及上表面由所述第一多孔质部覆盖的第二多孔质部，

所述第一多孔质部与所述第二多孔质部相比，纯度高且厚度薄，

所述第二多孔质部与所述第一多孔质部相比，气孔率高。

该半导体制造装置用部件中，在晶片载放面露出的第一多孔质部与第二多孔质部相比，纯度高。因此，能够抑制杂质混入于晶片。另一方面，第二多孔质部与第一多孔质部相比，气孔率高。另外，第一多孔质部虽然气孔率低于第二多孔质部，不过，比第二多孔质部薄。因此，从整个多孔质插塞来看，能够抑制气体的流通阻力增大。

应予说明，本说明书中，有时采用上下、左右、前后等，对本发明进行说明，不过，上下、左右、前后只不过是相对的位置关系。因此，在改变了半导体制造装置用部件的朝向的情况下，有时上下变成左右，左右变成上下，但是，这种情形也包括在本发明的技术范围中。

本发明的半导体制造装置用部件中，所述第一多孔质部可以为喷镀膜。据此，能够比较容易地制作第一多孔质部。