[发明专利]一种单光子快响应精密定位光电探测系统及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202211197614.4 申请日: 2022-09-29
公开(公告)号: CN115586559A 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 田进寿;华永校;闫林星 申请(专利权)人: 安徽宿杭之光光电有限公司
主分类号: G01T1/161 分类号: G01T1/161;G01T1/22;A61B6/03;A61B6/00
代理公司: 合肥市科融知识产权代理事务所(普通合伙) 34126 代理人: 袁向琴
地址: 234000 安徽省宿州市高*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 光子 响应 精密 定位 光电 探测 系统 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种单光子快响应精密定位光电探测系统,包括探测本体,其特征在于,所述探测本体包括:

被检体;

放射性药物,设置在被检体内;

一对单光子快响应光电倍增管,采用高含铅玻璃作为高含铅输入窗,用于将γ光子转换成波长在可见光范围内的契伦科夫光,相比于闪烁体,可以减小光脉冲的峰值半宽度;所述单光子快响应光电倍增管设置有用于实现被检体横向空间位置分辨的由高原子序数材料构成的毛细管阵列。

2.根据权利要求1所述的单光子快响应精密定位光电探测系统,其特征在于,所述探测本体内设置有:

光电阴极,与所述单光子快响应光电倍增管相连;

阳极,安装在所述光电阴极远离单光子快响应光电倍增管的一侧;

新型双微通道板,安装在阳极和光电阴极之间,用于对光电子进行倍增并抑制直穿光激发背景光电子。

3.根据权利要求2所述的单光子快响应精密定位光电探测系统,其特征在于,所述新型双微通道板采用磞硅玻璃基板和原子层沉积技术镀制高二次电子发射材料制成。

4.根据权利要求2所述的单光子快响应精密定位光电探测系统,其特征在于,所述光电阴极与单光子快响应光电倍增管阴极窗基底之间设有氧化铝隔离层。

5.一种单光子快响应精密定位光电探测系统的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

配置一对正对的时间响应在30-40ps的单光子快响应光电倍增管、被检体及注入到被检体内的放射性药物。

6.根据权利要求5所述的单光子快响应精密定位光电探测系统的制备方法,其特征在于,所述单光子快响应光电倍增管以及高原子序数的毛细管阵列可以用单光子快响应位敏型探测器替代,用于实现病灶的三维精准定位。

7.根据权利要求6所述的单光子快响应精密定位光电探测系统的制备方法,其特征在于,所述单光子快响应光电倍增管设置有用于实现被检体横向空间位置分辨的由高原子序数材料构成的毛细管阵列。

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