[发明专利]具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路及方法

权利要求书

1.一种具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，包括二极管D₁、二极管D₂、钳位电容C₁、去耦电容C₂、电阻R₁和电阻R₂，所述二极管D₁的阳极端连接在GaN器件的栅极上，所述二极管D₁的阴极端经过所述钳位电容C₁连接在GaN器件的源极上；所述电阻R₁与钳位电容C₁并联，所述二极管D₂的阳极端连接在驱动电源上，所述二极管D₂的阴极端经过所述去耦电容C₂接地，所述二极管D₂的阴极端还经过电阻R₂与所述钳位电容C₁连接，使得所述驱动电源经过所述二极管D₂和电阻R₂后为所述钳位电容C₁充电。

2.根据权利要求1所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，所述电阻R₁的阻值大于所述电阻R₂的阻值。

3.根据权利要求1或2所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，所述驱动电源连接有驱动芯片，所述驱动芯片输出的驱动信号经过栅极电阻R_G和栅极电感L_G后加载到GaN器件的栅极上。

4.根据权利要求3所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，设钳位电容C₁的最大电压与V_G-V_D2之间的差值为ΔV_C1，则根据ΔV_C1与钳位电容C₁容值之间的关系设置ΔV_C1的大小，其中V_G为驱动电源输出的驱动电压，V_D2为二极管D₂的降压值。

5.根据权利要求1或4所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，所述驱动芯片采样LM5114，所述驱动电源的驱动电压为5V。

6.根据权利要求1或4所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，所述钳位电容C₁的容值20nF。

7.根据权利要求1或4所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，钳位电容C₁的容值为47nF，电阻R₁的阻值为2kΩ，电阻R₂的阻值为2Ω，去耦电容C₂的容值为1μF。

8.根据权利要求1所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，二极管D₂的压降大于或等于二极管D₁的压降。

9.根据权利要求3所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路，其特征在于，所述栅极电阻R_G的阻值为1Ω。

10.一种具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制方法，其特征在于，在GaN器件的驱动电路中采用权利要求1-9任一所述的具有钳位功能的GaN器件栅源电压振荡抑制电路进行栅源电压振荡抑制。