[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 202211201542.6 | 申请日： | 2022-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN115939070A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 佐桥明 | 申请（专利权）人： | 住友电工光电子器件创新株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/29;H01L21/48;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，具备：
封装件，具有上表面和下表面；
半导体元件，配置于所述封装件内；以及
基底，配置于所述封装件内，搭载所述半导体元件，
所述基底的上表面在所述封装件的所述上表面露出，
所述基底的下表面在所述封装件的所述下表面露出。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
露出的所述基底的所述上表面和所述下表面与外部的散热器热连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，
还具备外部端子，所述外部端子与所述半导体元件电连接，具有从所述封装件的所述上表面或所述下表面露出的面。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
多个所述半导体元件搭载于所述基底。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，
所述基底的露出来的所述上表面设于所述多个所述半导体元件之间。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述基底在所述基底的露出来的所述上表面与搭载有所述半导体元件的位置之间具有狭缝。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，
所述基底的露出来的所述上表面与搭载有所述半导体元件的位置之间被设为连续。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，
还具备接地端子，所述接地端子具有在所述封装件的所述上表面露出的面，与所述基底电连接。
9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，
所述接地端子的厚度比所述基底的厚度薄。
10.一种半导体器件的制造方法，其中，
所述半导体器件具备：
封装件，具有上表面和下表面；
半导体元件，配置于所述封装件内；以及
基底，配置于所述封装件内，搭载所述半导体元件，
所述基底的上表面在所述封装件的所述上表面露出，所述基底的下表面在所述封装件的所述下表面露出，
所述半导体器件的制造方法包括以下工序：
将所述半导体元件搭载于所述基底；
通过导通构件来使所述半导体元件与外部端子导通；以及
用树脂材料对所述基底、所述外部端子以及所述半导体元件进行封固。
11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，
所述基底在所述基底的露出来的所述上表面与搭载有所述半导体元件的位置之间具有狭缝，
用所述树脂材料进行封固的工序包括向所述基底的所述狭缝注入树脂的工序。
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