[发明专利]一种基于激基复合物的双色OLED器件及其制备方法

权利要求书

1.一种基于激基复合物的双色OLED器件，其特征在于：包括玻璃衬底、位于所述玻璃衬底上的空穴注入层、位于所述空穴注入层的空穴传输层、位于所述空穴传输层上的有机发光层、位于所述有机发光层的电子传输层、位于所述电子传输层的电子注入层和位于所述电子注入层的金属阴极；在双色OLED器件中，空穴传输层和电子传输层分别作为激基复合物的给体和受体；在蒸镀有机发光层时利用掩膜板进行图案化处理，形成发光图案；并利用掩膜板阻挡有机发光层在部分位置的蒸镀，使空穴传输层材料和电子传输层材料的部分直接接触形成激基复合物而发出一种颜色的光，而在掩膜板镂空处被蒸镀的有机发光层的位置发出另一颜色的光；使双色OLED器件在同一块基板上同时显示两种颜色。

2.根据权利要求1所述基于激基复合物的双色OLED器件，其特征在于：利用掩膜板阻挡有机发光层在部分位置的蒸镀，使空穴传输层材料和电子传输层材料的部分直接接触形成激基复合物而发出蓝光，而在掩膜板镂空处被蒸镀的有机发光层的位置发射红光。

3.根据权利要求1所述基于激基复合物的双色OLED器件，其特征在于：玻璃衬底所用材料是ITO铟锡氧化物；

或者，空穴注入层所用材料是MoOx，其中x≤3，所述空穴注入层厚度不大于5nm；

或者，空穴传输层所用材料是NPB，所述空穴传输层厚度不大于25nm；

或者，机发光层所用材料是PO-T2T:RD的复合材料，在复合材料中，RD掺杂重量百分率为15～20％，所述发光层厚度不大于20nm；

或者，电子传输层所用材料是TPBi，所述电子传输层厚度不大于40nm；

或者，电子注入层所用材料是Liq，所述电子注入层厚度不大于1nm；

或者，阴极所用材料是Al，所述阴极厚度不大于150nm。

4.根据权利要求1或2所述基于激基复合物的双色OLED器件，其特征在于：利用掩膜板，使电子、空穴传输材料接触产生激基复合物。

5.一种权利要求1所述基于激基复合物的双色OLED器件的制备方法，其特征在于：在玻璃衬底ITO上，依次制作空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和金属阴极；包括如下步骤：

1)采用ITO玻璃衬底，用超声震荡清洁后烘干；

2)在真空条件下，用加热蒸镀的方法在玻璃衬底上蒸镀空穴注入层；

3)在空穴注入层上蒸镀空穴传输层；

4)金属掩膜板对位；

5)在空穴传输层上蒸镀有机发光层；

6)金属掩膜板取出；

7)在有机发光层上蒸镀电子传输层；

8)在电子传输层上蒸镀电子注入层；

9)在电子注入层上蒸镀一个Al电极，作为OLED器件的阴极。

6.根据权利要求5所述基于激基复合物的双色OLED器件的制备方法，其特征在于：空穴注入层所用材料为MoOx，在蒸镀时，蒸发速率控制在

7.根据权利要求5所述基于激基复合物的双色OLED器件的制备方法，其特征在于：空穴传输层所用材料为NPB，在蒸镀时，蒸发速率控制在

8.根据权利要求5所述基于激基复合物的双色OLED器件的制备方法，其特征在于：有机发光层所用材料为PO-T2T:RD复合材料，在蒸镀时，蒸发速率控制在

9.根据权利要求5所述基于激基复合物的双色OLED器件的制备方法，其特征在于：电子传输层所用材料为TPBi，在蒸镀时，蒸发速率控制在

10.根据权利要求5所述基于激基复合物的双色OLED器件的制备方法，其特征在于：电子注入层所用材料为Liq，在蒸镀时，蒸发速率控制在