[发明专利]一种高压LED芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一发光结构形成垂直LED芯片；通过所述键合层嵌入所述通孔与对应所述的第一型半导体层形成接触，使所述第二发光结构形成通孔结构的LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述第一发光结构和第二发光结构的串联。如此，使两发光结构无需通过台阶即可实现桥接，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，分割道在反面LED单元化刻蚀时同步形成，无需增加额外工艺，简化高压LED芯片的制备工艺。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种高压LED芯片及其制作方法。

背景技术

发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件。LED有节能、环保、安全、寿命长、低功耗等特点，可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明等领域。与普通的LED芯片相比，高压LED芯片具有电流小、电压高、无需大幅度的进行电压转换、变压损耗小、驱动设计简单、散热要求低等优点，而且高压LED芯片能减小封装成本、减少元件数和焊点数、可靠性能高。因此，高压LED芯片的应用越来越广泛。

在实际应用中，尤其是大功率光源中，一般采用多颗LED芯片串并联的方式实现，比如在封装过程中一颗灯珠采用多颗LED芯片串并联结合，或者在灯具装配过程中一个发光模组采用多颗灯珠串并联结合。但是这些方式增加了体积、工序和成本。为了解决这些问题，一般采用在芯片级串联及其并联的设计，这种设计可以有效减少封装体积和工序；目前芯片级串联大都采用水平电极结构设计。

然而，本申请人发现，水平结构电极的高压LED芯片具有如下问题：

1、从P型半导体层出光，需要透明电极；

2、P型电极和N型电极在同一侧，电流从P型半导体层流向N型半导体层属于水平流动，扩展性不均匀；

3、需要通过扩展电极解决电流的扩展问题，然而，扩展电极占据较大的发光面积，易发生电流阻塞效应；

4、正面需要对外延层进行深度刻蚀，采用桥接电极实现LED芯片N电极和P电极的连接，桥接区域台面高低差较大，桥接电极易发生厚度不均匀甚至断裂，可靠性较差；

5、生长衬底散热性不佳，无法高功率工作。

有鉴于此，为克服现有技术高压LED芯片的上述缺陷，本发明人专门设计了一种高压LED芯片及其制作方法，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高压LED芯片及其制作方法，以解决高压LED芯片电流扩展差、热阻高、发光面积小的问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种高压LED芯片，包括：

导电衬底；

通过键合层键合形成于所述导电衬底表面的发光结构，所述发光结构包括通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构；其中，所述第一发光结构、第二发光结构分别包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层，所述第一方向垂直于所述导电衬底，并由所述发光结构指向所述导电衬底；且所述第二发光结构具有一发光台面及若干个裸露对应所述第一型半导体层部分表面的通孔；

欧姆反射层，其层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面；

第二绝缘层，其覆盖所述第一发光结构、第二发光结构以及分割道，并裸露所述通孔底部以及各发光结构所对应的欧姆反射层；

第二电极层，其层叠于所述第一发光结构所对应的欧姆反射层的表面，并通过层叠于所述第二绝缘层表面的方式延伸至所述分割道；