[发明专利]一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法

权利要求书

1.一种用于硅纳米阵列的渗透钝化方法，其特征在于，包括以下步骤：钝化溶液滴到硅纳米阵列表面，静置至渗透，完成钝化。

2.根据权利要求1所述的用于硅纳米阵列的渗透钝化方法，其特征在于，完成钝化后，可以通过旋涂法、刮涂法等制备成薄膜。

3.根据权利要求1所述的用于硅纳米阵列的渗透钝化方法，其特征在于，所述钝化溶液为有机溶液或无机溶液；

所述有机溶液选自具有磺酸基、磷酸基、羧酸基的有机化合物与溶剂混合制备得到溶液；

所述无机溶液选自碘酒、硫酸或亚硫酸。

4.根据权利要求3所述的用于硅纳米阵列的渗透钝化方法，其特征在于，所述溶剂包括水、甲醇、乙醇、异丙醇等中的一种或者多种混合溶剂。

5.根据权利要求1所述的用于硅纳米阵列的渗透钝化方法，其特征在于，所述硅纳米阵列为采用化学刻蚀或物理刻蚀对硅片进行处理得到的。

6.根据权利要求1所述的用于硅纳米阵列的渗透钝化方法，其特征在于，所述静置时间为0.5-10min。

7.根据权利要求1所述的用于硅纳米阵列的渗透钝化方法，其特征在于，当硅纳米阵列的长度为10-1000nm，钝化溶液的最佳质量浓度为0.3％-6.0％。

8.根据权利要求1所述的用于硅纳米阵列的渗透钝化方法在硅纳米阵列太阳电池中的应用。