[发明专利]一种顶发射有源OAM激光器阵列结构

权利要求书

1.一种顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，包括一个衬底层(301)、N接触层(302)、N型反射镜(304)、两个N电极(303)、以及至少一个功能层(311)、P型反射镜(308)、P接触层(309)、P电极(310)、微尺寸螺旋相位板(312)；

其中，所述衬底层(301)、所述N接触层(302)、所述N型反射镜(304)、所述功能层(311)、所述P型反射镜(308)、所述P接触层(309)依次叠层设置；所述N接触层(302)与所述N电极(303)连接，所述P接触层(309)与所述P电极(310)连接；

所述衬底层(301)和所述N接触层(302)构成第一椭圆柱体，所述第一椭圆柱体的上表面形成第一台面；

所述N型反射镜(304)、功能层(311)、第二反射镜(308)和P接触层(309)构成第二椭圆柱体，所述第二椭圆柱体的上表面形成第二台面；

所述第一台面、所述第二台面为同轴心设置且直径依次减小，所述N电极(303)固定于所述第一台面上，所述P电极(310)固定于所述第二台面上。

2.根据权利要求1所述的顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，所述功能层(311)包括第一氧化限制层组(305)、有源层(306)和第二氧化限制层组(307)，所述第一氧化限制层组(305)为P型限制层且置于所述有源层(306)和所述反射镜(304)之间，所述第二氧化限制层组(307)为N型限制层且置于所述有源层(306)和所述反射镜(308)之间；所述第一氧化限制层组(305)和所述第二氧化限制层组(307)相对于所述有源层(306)对称分布。

3.根据权利要求2所述的顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，所述第二氧化限制层组(307)和所述第一氧化限制层组(305)均包括至少两层Al_xGaAs氧化层；每一层所述Al_xGaAs氧化层的厚度范围为10-30nm。

4.根据权利要求2所述的顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，所述第一氧化限制层组(305)和所述第二氧化限制层组(307)上均设有椭圆氧化孔，所述椭圆氧化孔的长轴孔径范围为1-10μm。

5.根据权利要求2所述的顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，所述有源层(306)包括若干个子层，且每个子层的晶格常数独立变化。

6.根据权利要求2所述的顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，所述有源层(306)还包括若干个量子阱，所述量子阱包括压缩应变量子阱层和拉力应变势垒层。

7.根据权利要求1所述的顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，所述P接触层(309)的厚度大于15nm，所述P接触层(309)包括P掺杂层，所述P掺杂层的掺杂浓度高于3X10¹⁸cm³。

8.根据权利要求1所述的顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，所述第二台面上设有若干个氮化硅层，每个所述微尺寸螺旋相位板(312)设于一个氮化硅层上。

9.根据权利要求1所述的顶发射有源OAM激光器阵列结构，其特征在于，所述微尺寸螺旋相位板(312)为环形螺旋相位板，所述微尺寸螺旋相位板(312)的阶数大于等于1。