[发明专利]磁壁利用型模拟存储元件以及磁壁利用型模拟存储器

权利要求书

1.一种磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，

具备：

磁壁驱动层，具有磁壁、第1区域、第2区域、和位于所述第1区域与所述第2区域之间的第3区域；以及

磁化固定层，经由非磁性层而设置于所述第3区域，

所述磁壁驱动层中的、所述俯视时重叠于所述磁化固定层的部分的厚度大于其他部分。

2.如权利要求1所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，在所述磁壁驱动层与所述下部电极层之间进一步具备高阻层。

3.如权利要求1或者2所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，

所述磁壁驱动层的长度为60nm以上。

4.如权利要求1或者2所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，

进一步具备：

与所述第1区域相接并具有第1磁化方向的第1磁化供给层；以及

与所述第2区域相接并具有与所述第1磁化方向相反的第2磁化方向的第2磁化供给层。

5.如权利要求4所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，

所述磁壁驱动层、所述第1磁化供给层、所述第2磁化供给层、以及所述磁化固定层各自的磁化方向分别平行于各层。

6.如权利要求4所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，

所述磁壁驱动层、所述第1磁化供给层、所述第2磁化供给层、以及所述磁化固定层各自的磁化方向分别垂直于各层。

7.如权利要求1、2、5、6中任意一项所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，

所述磁壁驱动层具有磁壁销止部。

8.如权利要求5或者6所述的磁壁利用型模拟存储元件，其特征在于，

双极元件被连接于所述第1磁化供给层或者所述第2磁化供给层的任意一方。

9.一种磁壁利用型模拟存储器，其特征在于，

具备多个权利要求1～8中任意一项所述的磁壁利用型模拟存储元件。

10.如权利要求9所述的磁壁利用型模拟存储器，其特征在于，

具备读出在读出时所述下部电极层与所述磁化固定层之间的电阻变化的机构。

11.一种非易失性逻辑电路，其特征在于，

具备权利要求1～8中任意一项所述的磁壁利用型模拟存储元件被配置成阵列状的磁壁利用型模拟存储器、和自旋转移力矩型磁阻式随机存取存储器，

具有存储功能和逻辑功能并且作为存储功能而具备所述磁壁利用型模拟存储器以及所述自旋转移力矩型磁阻式随机存取存储器。

12.一种磁神经元元件，其特征在于，

具备权利要求1～8中任意一项所述的磁壁利用型模拟存储元件，

所述磁壁驱动层的所述第3区域具有第1存储部和在长边方向上排列并夹着该第1存储部而配置的第2存储部以及第3存储部，

所述磁神经元元件具备电流源，该电流源具有控制电路，该控制电路能够控制写入电流的流动，以使磁壁能够按顺序以至少一次停留于所述第1存储部、所述第2存储部以及所述第3存储部的所有存储部的方式移动。