[发明专利]一种垂直腔面发射激光器及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

衬底；

外延基本结构，位于所述衬底的一侧；所述外延基本结构包括多个有源区，多个所述有源区沿外延生长方向层叠设置；相邻两层的有源区之间由隧道结连接；

介质层，位于所述外延基本结构远离所述衬底的一侧；

驻波调节层，穿插在所述外延基本结构中，并靠近所述介质层设置；所述驻波调节层用于调节所述垂直腔面发射激光器中的驻波分布，以使驻波光场中的波峰偏离所述外延基本结构的出光腔面；其中所述出光腔面为所述外延基本结构远离所述衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述外延基本结构还包括：

第一布拉格反射层，位于所述衬底的一侧；多个所述有源区均位于所述第一布拉格反射层远离所述衬底的一侧；

第二布拉格反射层，位于最远离所述衬底的有源区远离所述衬底的一侧；

电流扩散层，位于所述第二布拉格反射层远离所述衬底的一侧；

接触层，位于所述电流扩散层远离所述衬底的一侧；

其中，所述驻波调节层位于所述电流扩散层与所述第二布拉格反射层之间、所述电流扩散层内或者所述电流扩散层与所述接触层之间。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，

所述驻波调节层的材料包括ALGa_1-xAs_x；其中，As的组分X基于激光的波长进行调节。

4.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，其中P的组分X大于0，且小于或等于0.45。

5.根据权利要求3所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述驻波调节层的光学厚度大于二分之一的激射波长，且小于激射波长；

所述驻波调节层的材料与所述电流扩散层的材料相同。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述有源区包括：

有源层以及位于所述有源层相对两侧的上空间层和下空间层；相对于所述上空间层，所述下空间层较靠近于所述衬底；

其中，所述上空间层的掺杂离子的类型和下空间层的掺杂离子的类型相反。

7.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括一个电流限制层；所述电流限制层位于所述第二布拉格反射层中，或者，位于邻近所述第二布拉格反射层的上空间层中；所述电流限制层具有开口，所述开口用于定义出发光区。

8.根据权利要求6所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括多个电流限制层；所述电流限制层与所述有源区一一对应；多个所述电流限制层分别位于对应的有源区的上空间层中；所述电流限制层具有开口，所述开口用于定义出发光区。

9.根据权利要求7或8所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述电流限制层包括氧化层；所述氧化层为外延生长的高Al组分的AlGaAs，其外侧被氧化区域形成绝缘的氧化铝膜层；其中，未氧化区域形成有效电流注入的发光区。

10.一种垂直腔面发射激光器的制备方法，其特征在于，用于形成权利要求1～9任一所述的垂直腔面发射激光器，包括：

提供衬底；

在衬底的一侧形成外延基本结构，并在外延基本结构中形成驻波调节层；外延基本结构包括多个有源区，多个有源区沿外延生长方向层叠设置；相邻两层的有源区之间由隧道结连接；驻波调节层靠近外延基本结构的出光腔面设置；驻波调节层用于调节激光的驻波分布，以使驻波光场中最强的波峰偏离外延基本结构的出光腔面；

形成介质层，所述介质层位于所述外延基本结构远离所述衬底的一侧。