[发明专利]一种异质结太阳能电池的制造方法

说明书

本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种异质结太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，A，对半导体基板进行双面制绒；B，在半导体基板表面上形成隧穿氧化层；C，在隧穿氧化层上形成N型多晶硅层；D，在半导体基板向光面的N型多晶硅层上形成掩膜层；E，从半导体基板背光面进行等离子处理。本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池的制造方法，其工艺较简洁，既保持了N型多晶硅层高导电和低设备投资成本的优势，又保持了异质结良好钝化、高开路电压的技术特点。

技术领域

本发明属于太阳能电池技术领域，涉及一种异质结太阳能电池的制造方法。

背景技术

异质结太阳能电池因具有转换效率高、工艺温度低、稳定性高和衰减率低等优点，越来越受光伏行业的青睐，是高转换效率太阳能电池的未来发展方向。

异质结技术工艺流程简单，具有较高的转换效率和较高的综合发电量，其衰减速度远低于PERC电池，具有较大的发展潜力，但其所用的非晶硅或微晶硅的板式PECVD镀膜设备相对较贵，设备综合成本较PERC电池不具备较大的优势，需要改进生产技术，进一步降低设备固定资产的投资，达到综合投资具备较大市场竞争力的目的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种异质结太阳能电池的制造方法，其工艺较简洁，既保持了N型多晶硅层高导电和低设备投资成本的优势，又保持了异质结良好钝化、高开路电压的技术特点。

本发明的目的通过如下技术方案实现：

一种异质结太阳能电池的制造方法，它包括如下步骤，

A，对半导体基板进行双面制绒；

B，在半导体基板表面上形成隧穿氧化层；

C，在隧穿氧化层上形成N型多晶硅层；

D，在半导体基板向光面的N型多晶硅层上形成掩膜层；

E，从半导体基板背光面进行等离子处理。

较之现有技术而言，本发明的优点在于：

1、向光面隧穿氧化层和N型多晶硅层组成的TOPCON技术具有钝化效果好，导电性佳的特点，既保证了电池的开路电压，又提升了电池填充因子；

2、从半导体基板的背光面进行等离子处理，不仅解决绒面上形成的隧穿氧化层和N型多晶硅层钝化效果不如在抛光面上形成的隧穿氧化层和N型多晶硅层的问题，保证了电池的钝化效果，而且利用后续要去除的背光面上的N型多晶硅层和隧穿氧化层，保护了半导体基板的背光面；

3、向光面氮化硅掩膜层的沉积，既在热碱液中防止了N型多晶硅层受溶液腐蚀，又在工艺中起到退火注氢作用，进一步地提高了N型多晶硅层的钝化效果；

4、本发明引入的工艺制程在去除背光面上的N型多晶硅层和隧穿氧化层的同时，自然消除了制备过程中在背光面产生的绕镀，避免了纯TOPCON技术良率波动和制程复杂的主要因素；

5、本发明中向光面氮化硅掩膜层在最终结构中不保留，而以透明导电膜层取代，避免激光消融或浆料高温反应带来的损伤，和后续异质结制程结合度好；

6、采用P型掺氧微晶硅层，保证导电性的同时又拓宽了光学能隙，克服了P型非晶硅层吸光严重的缺点；

7、由于用隧穿氧化层和N型多晶硅层取代了传统异质结的N型非晶硅层或N型微晶硅层，减少了板式PECVD的设备投入，可以大幅降低异质结设备总成本。

8、在TOPCON膜层上引入N型含氧微晶硅层拓宽了正面的光学能隙，弥补了TOPCON膜层在正面容易吸光的问题，保证了短路电流。

附图说明

图1是本发明中高效异质结太阳能电池片一实施例的结构示意图；