[发明专利]光罩及其检测方法、缺陷图案及其形成方法、装置和设备在审

专利信息
申请号: 202211215565.2 申请日: 2022-09-30
公开(公告)号: CN115564729A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 薛慧慧;田锋;朱浩;吴大俊 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: G06T7/00 分类号: G06T7/00;G06T7/11;G06T7/13
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 王军红;徐川
地址: 230601 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 及其 检测 方法 缺陷 图案 形成 装置 设备
【权利要求书】:

1.一种光罩的检测方法,其特征在于,包括:

在待检测光罩的第一检测区上,确定所述第一检测区的图案中存在的第一缺陷的关键尺寸;

基于所述第一检测区的图案和所述第一缺陷的类型,获取样品光罩中相同图案、相同缺陷类型中目标缺陷允许的关键尺寸范围,其中,所述样品光罩中具有所述目标缺陷的图案转移到晶圆上形成的目标图案的关键尺寸在参考图案的关键尺寸范围内,所述参考图案为与所述第一检测区的图案相同但不包含缺陷的参考检测区的图案转移到晶圆上形成的图案;

在所述第一缺陷的关键尺寸不在所述目标缺陷允许的关键尺寸范围内的情况下,确定所述待检测光罩为不良品。

2.根据权利要求1所述的检测方法,其特征在于,还包括:

确定所述第一缺陷的位置;所述基于所述第一检测区的图案和所述第一缺陷的类型,获取样品光罩中相同图案、相同缺陷类型中目标缺陷允许的关键尺寸范围,包括:

基于所述第一检测区的图案、所述第一缺陷的类型和所述第一缺陷的位置,获取相同图案、相同缺陷类型和相同缺陷位置中目标缺陷允许的关键尺寸范围。

3.根据权利要求2所述的检测方法,其特征在于,所述方法还包括:

在所述样品光罩上确定与所述第一检测区具有相同图案的第二检测区;

在所述第二检测区上,确定与所述第一缺陷的类型和位置相同的第二缺陷;

确定所述第二缺陷的关键尺寸、和所述第二检测区的图案转移到晶圆上形成的缺陷图案的关键尺寸;

在所述缺陷图案的关键尺寸在所述参考图案的关键尺寸范围内时,将所述缺陷图案对应的第二缺陷确定为所述目标缺陷。

4.根据权利要求3所述的检测方法,其特征在于,所述样品光罩包括N个图案,每一所述图案所在区域对应地设置有M个所述第二检测区和P个所述参考检测区,其中,N、M、P均为大于等于1的整数。

5.根据权利要求4所述的检测方法,其特征在于,所述N个图案包括所述晶圆中的至少两层图形的图案。

6.根据权利要求4所述的检测方法,其特征在于,确定所述第二检测区的图案转移到晶圆上形成的缺陷图案的关键尺寸,包括:

对于所述样品光罩中的每一图案,基于P个所述参考检测区在所述每一图案所在区域中的位置,在P个所述参考检测区中确定目标参考检测区;

利用所述目标参考检测区,确定最佳曝光参数;所述最佳曝光参数是将每一所述第二检测区的图案转移到所述晶圆上形成缺陷图案的曝光参数;

对于所述样品光罩中的每一图案,确定所述缺陷图案的关键尺寸。

7.根据权利要求6所述的检测方法,其特征在于,对于所述样品光罩中的每一图案,基于P个所述参考检测区在所述每一图案所在区域中的位置,在P个所述参考检测区中确定目标参考检测区,包括:

获取P个所述参考检测区中每一参考检测区的位置信息;

基于所述每一参考检测区的位置信息,在P个所述参考检测区中,将位于每一所述图案所在区域的边缘和中心的参考检测区确定为所述目标参考检测区。

8.根据权利要求6所述的检测方法,其特征在于,在所述确定最佳曝光参数之后,还包括:

确定目标参考图案的关键尺寸一致性,所述目标参考图案为采用所述最佳曝光参数将每一所述目标参考检测区的图案转移到所述晶圆上形成的图案;

在所述关键尺寸一致性不满足预设条件的情况下,调整所述最佳曝光参数。

9.根据权利要求3至8任一项所述的检测方法,其特征在于,每一所述第二检测区包括透光区和与所述透光区相邻的非透光区,

所述第二缺陷位于所述第二检测区的以下位置:

所述透光区的内部且与所述透光区的边缘不接触;

所述透光区的内部且与所述透光区的一侧边缘接触;

所述非透光区的内部且与所述非透光区的一侧边缘接触;

所述非透光区的内部且与所述非透光区的边缘不接触。

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