[发明专利]一种异质结双极型晶体管的外延结构和异质结双极型晶体管

权利要求书

1.一种异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，包括层叠设置的衬底、缓冲层、集电极层、基极层、发射极层和发射极盖层；

其中，所述衬底包括GaAs衬底，所述缓冲层的材料包括Al_xGa_1-xAs_1-yP_y，所述集电极层的材料包括GaAs。

2.根据权利要求1所述的异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，x的取值范围为0～90％，y的取值范围为0.5～10％。

3.根据权利要求1所述的异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，所述集电极层的材料包括N型掺杂的GaAs，掺杂浓度为1×10¹⁵～2×10¹⁸cm^-3。

4.根据权利要求1所述的异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，所述基极层的材料包括P型掺杂的GaAs、P型掺杂的GaAsSb或P型掺杂的InGaAs中的一种，掺杂浓度为1×10¹⁹～8×10¹⁹cm^-3。

5.根据权利要求1所述的异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，所述发射极层的材料包括N型掺杂的InGaP，掺杂浓度为5×10¹⁶～1×10¹⁸cm^-3。

6.根据权利要求1所述的异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，还包括下欧姆接触层和上欧姆接触层；所述下欧姆接触层位于所述缓冲层与所述集电极层之间；所述上欧姆接触层位于所述发射极盖层远离所述发射极层的一侧表面。

7.根据权利要求6所述的异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，所述下欧姆接触层的材料包括N型掺杂的GaAs，掺杂浓度为1×10¹⁸～2×10¹⁹cm^-3；所述上欧姆接触层的材料为N型掺杂的GaAs或N型掺杂的InGaAs，掺杂浓度为1×10¹⁸～1×10²⁰cm^-3。

8.根据权利要求6所述的异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，还包括刻蚀截止层，所述刻蚀截止层设置于所述集电极层与所述下欧姆接触层之间。

9.根据权利要求8所述的异质结双极型晶体管的外延结构，其特征在于，所述刻蚀截止层的材料包括N型掺杂的InGaP，掺杂浓度为1×10¹⁷～5×10¹⁸cm^-3。

10.一种异质结双极型晶体管，其特征在于，采用上述权利要求1～9任一项所述的异质结双极型晶体管的外延结构制备而成。