[发明专利]一种高纯纳米结构双硅酸镱粉体及其制备方法

权利要求书

1.一种高纯纳米结构双硅酸镱粉体的制备方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

步骤一、将纳米Yb₂O₃粉体和纳米SiO₂粉体按摩尔比为1:2的比例放入球磨机中，加入氧化锆磨球干燥混合均匀；

步骤二、在球磨机中加入去离子水，然后向去离子水中加入分散剂，待分散剂完全溶解后加入SiC和氧化锆磨球，球磨以使SiC分散均匀，其中：分散剂的用量为纳米Yb₂O₃粉体、纳米SiO₂粉体和SiC总质量的0.05～5％，SiC的用量为纳米Yb₂O₃粉体、纳米SiO₂粉体和SiC总质量的0.5～50％；

步骤三、SiC完全分散均匀后分批加入干燥混合好的纳米Yb₂O₃粉体和纳米SiO₂粉体，然后加入氧化锆磨球进行球磨制浆；

步骤四、待浆料完全混合均匀后，加入粘结剂，干燥后进行固相烧结，得到高纯纳米结构Yb₂Si₂O₇粉体，其中：粘结剂用量为纳米Yb₂O₃粉体、纳米SiO₂粉体和SiC总质量的0.01～10％，固相烧结温度为1100～1200℃。

2.根据权利要求1所述的高纯纳米结构双硅酸镱粉体的制备方法，其特征在于所述步骤一中，纳米Yb₂O₃粉体的粒径为10～80nm，纳米SiO₂粉体的粒径为10～80nm；干燥混合的时间为2～4h；氧化锆磨球的直径为5～10mm，氧化锆磨球的质量为纳米Yb₂O₃粉体和纳米SiO₂粉体总质量的2～3倍。

3.根据权利要求1所述的高纯纳米结构双硅酸镱粉体的制备方法，其特征在于所述步骤二中，去离子水的用量是纳米Yb₂O₃粉体、纳米SiO₂粉体和SiC总质量的1～3倍；SiC分批加入到去离子水中，每次间隔5～20min；SiC的尺寸为5nm～5μm；氧化锆磨球的直径为5～10mm，氧化锆磨球的质量为SiC质量的2～3倍；球磨的时间为0.5～3h，转数为200～500转/分钟。

4.根据权利要求1所述的高纯纳米结构双硅酸镱粉体的制备方法，其特征在于所述步骤二中，分散剂为三聚磷酸钠、六偏磷酸钠、异丁醇、乙二醇、柠檬酸铵、柠檬酸钠中的一种。

5.根据权利要求1所述的高纯纳米结构双硅酸镱粉体的制备方法，其特征在于所述步骤三中，氧化锆磨球的直径为5～10mm，氧化锆磨球的质量为纳米Yb₂O₃粉体、纳米SiO₂粉体和SiC总质量的2～3倍；球磨制浆的转数为300～1000转/分钟，时间为6～12h。