[发明专利]一种射频功率放大器、输入匹配电路及级间匹配电路在审

专利信息
申请号: 202211217755.8 申请日: 2022-09-30
公开(公告)号: CN115664347A 公开(公告)日: 2023-01-31
发明(设计)人: 卢益锋;莫晓辉;万亮;孙希国;王文平 申请(专利权)人: 厦门市三安集成电路有限公司
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/26;H03F1/56;H03F3/19;H03F3/21
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 李艾华;潘国庆
地址: 361000 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 功率放大器 输入 匹配 电路
【权利要求书】:

1.一种射频功率放大器的输入匹配电路,其特征在于,包括第一隔直电容、第一电感和第一减抗电阻;所述第一隔直电容设置在射频输入信号与第一功率晶体管之间;所述第一电感和第一减抗电阻相串联且设置在第一偏置电压与第一功率晶体管之间;还包括与所述第一减抗电阻并联的第一均衡电容,以补偿第一功率晶体管的增益滚降效应。

2.根据权利要求1所述的输入匹配电路,其特征在于,所述第一减抗电阻与所述第一均衡电容的关联关系如下:

f01=1/(2*π*R1*C1)

其中,f01表示输入匹配电路的转折频率;π表示圆周率;R1表示第一减抗电阻;C1表示第一均衡电容。

3.根据权利要求2所述的输入匹配电路,其特征在于,所述输入匹配电路的转折频率设置为射频功率放大器工作频带范围内的中心频率。

4.一种射频功率放大器,其特征在于,包括如权利要求1~3中任意一项所述的输入匹配电路和第一功率晶体管。

5.一种射频功率放大器的级间匹配电路,其特征在于,包括第二隔直电容、第二电感和第二减抗电阻;所述第二隔直电容设置在第一功率晶体管与第二功率晶体管之间;所述第二电感和第二减抗电阻相串联且设置在第二偏置电压与第二功率晶体管之间;还包括与所述第二减抗电阻并联的第二均衡电容,以补偿第二功率晶体管的增益滚降效应。

6.根据权利要求5所述的级间匹配电路,其特征在于,所述第二减抗电阻与所述第二均衡电容的关联关系如下:

f02=1/(2*π*R2*C2)

其中,f02表示级间匹配电路的转折频率;π表示圆周率;R2表示第二减抗电阻;C2表示第二均衡电容。

7.根据权利要求6所述的级间匹配电路,其特征在于,所述级间匹配电路的转折频率设置为射频功率放大器工作频带范围内的中心频率。

8.一种射频功率放大器,其特征在于,包括如权利要求4~7中任意一项所述的级间匹配电路、第一功率晶体管和第二功率晶体管。

9.一种射频功率放大器,包括输入匹配电路和级间匹配电路,其特征在于,输入匹配电路包括第一隔直电容、第一电感和第一减抗电阻;所述第一隔直电容设置在射频输入信号与第一功率晶体管之间;所述第一电感和第一减抗电阻相串联且设置在第一偏置电压与第一功率晶体管之间;所述级间匹配电路包括第二隔直电容、第二电感和第二减抗电阻;所述第二隔直电容设置在第一功率晶体管与第二功率晶体管之间;所述第二电感和第二减抗电阻相串联且设置在第二偏置电压与第二功率晶体管之间;还包括与所述第一减抗电阻并联的第一均衡电容,以及,与所述第二减抗电阻并联的第二均衡电容,以实现增益均衡。

10.根据权利要求9所述的射频功率放大器,其特征在于,所述第一减抗电阻与所述第一均衡电容的关联关系如下:

f01=1/(2*π*R1*C1)

其中,f01表示输入匹配电路的转折频率;π表示圆周率;R1表示第一减抗电阻;C1表示第一均衡电容;

所述第二减抗电阻与所述第二均衡电容的关联关系如下:

f02=1/(2*π*R2*C2)

其中,f02表示级间匹配电路的转折频率;π表示圆周率;R2表示第二减抗电阻;C2表示第二均衡电容。

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