[发明专利]一种离子门控制电路及控制方法在审
| 申请号： | 202211218563.9 | 申请日： | 2022-10-06 |
| 公开（公告）号： | CN115424915A | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 易洪江 | 申请（专利权）人： | 蒋夏丽 |
| 主分类号： | H01J49/02 | 分类号： | H01J49/02;H01J49/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541399 广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 离子 门控 电路 控制 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子门控制电路及控制方法，其特征在于：一个高压电源给漂移管分压电路供电，以提供各电极所需的稳定分压；同时给另一路门控分压电路供电，以提供TP型离子门所需的脉冲电压；门控分压电路包括一系列分压电阻和至少一个MOS管，其中MOS管的源极（S极）接地，并和门控分压电路接地端的至少一个分压电阻并联，通过控制MOS管的通断来调整门控分压电路的总阻值，从而调整TP型离子门栅网获得的分压，以控制离子门开关。
2.根据权利要求1所述的一种离子门控制电路及控制方法，其特征在于：所述的TP型离子门所需的脉冲电压可以由后端的栅网G2提供，也可以由前端的栅网G1来提供。
3.根据权利要求1所述的一种离子门控制电路及控制方法，其特征在于：所述的MOS管可以是N沟道MOS管，也可以是P沟道MOS管。
4.根据权利要求1和3所述的一种离子门控制电路及控制方法，其特征在于：所述的N沟道MOS管和P沟道MOS管前接防反接二极管后并联，可用于正/负高压可切换的漂移管。
5.根据权利要求1、3和4所述的一种离子门控制电路及控制方法，其特征在于：所述的N沟道MOS管和P沟道MOS管的开关可以由一个5V门控脉冲信号同时控制，其中P沟道MOS管的-5V控制信号由5V门控脉冲信号和-5V电源通过晶体管开关转换得到。
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