[发明专利]一种Micro-LED芯片的转移方法

权利要求书

1.一种Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：包括：

提供一生长衬底，所述生长衬底包括第一侧边、第二侧边、第三侧边和第四侧边，在所述生长衬底上外延生长外延功能层；

对所述外延功能层进行刻蚀处理，在所述生长衬底上形成多个呈阵列排布的Micro-LED芯片，在所述生长衬底的第一侧边处形成第一外延块，在所述生长衬底的第二侧边处形成第二外延块，所述第一外延块与所述第二外延块物理连接；

对所述第一外延块和所述第二外延块进行刻蚀处理，以在所述第一外延块中形成第一条形沟槽，并在所述第二外延块中形成第二条形沟槽，所述第一条形沟槽和所述第二条形沟槽贯通；

在所述第一条形沟槽中形成第一条形金属块，在所述第二条形沟槽中形成第二条形金属块，在每个所述Micro-LED芯片上形成金属电极块；

提供一驱动基板，将每个所述Micro-LED芯片上的所述金属电极块与所述驱动基板中相应的像素电极进行键合，并将所述第一外延块和所述第二外延块转移至所述驱动基板的一个角落处，使得所述第一条形金属块位于所述驱动基板的第一侧边，且所述第二条形金属块位于所述驱动基板的第二侧边；

去除所述生长衬底。

2.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：所述生长衬底为蓝宝石衬底、氮化镓衬底或碳化硅衬底，所述第一侧边和所述第三侧边相对设置，所述第二侧边和所述第四侧边相对设置。

3.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：对所述外延功能层进行刻蚀处理之后，对每个所述Micro-LED芯片的侧面进行钝化处理。

4.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：对所述第一外延块和所述第二外延块进行刻蚀处理之前，形成光刻胶掩膜以覆盖所述多个呈阵列排布的Micro-LED芯片。

5.根据权利要求4所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：所述第一条形沟槽的深度大于所述第一外延块的厚度，所述第二条形沟槽的深度大于所述第二外延块的厚度。

6.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：所述第一条形金属块和所述第二条形金属块通过电镀、化学镀、物理气相沉积或化学气相沉积形成。

7.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：所述驱动基板包括衬底、设置所述衬底上的控制模块层以及覆盖所述控制模块层的平坦化层。

8.根据权利要求7所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：使得所述第一条形金属块和所述第二条形金属块分别嵌入到所述平坦化层中。

9.根据权利要求1所述的Micro-LED芯片的转移方法，其特征在于：去除所述生长衬底之后，在所述驱动基板上形成封装层和公共电极。