[发明专利]微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法

说明书

本发明涉及一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，涉及微发光二极管显示制造领域。通过在生长衬底边缘处设置一列虚拟微发光二极管单元，进而在虚拟微发光二极管单元中设置第一金属柱，并在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱，在后续的转移过程中，使得使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中，通过上述转移方法形成的微发光二极管显示基板可以有效避免潮气入侵，第一金属柱和第二金属柱的存在可以阻挡潮气入侵能微发光二极管单元。

技术领域

本发明涉及微发光二极管显示制造领域，具体涉及一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法。

背景技术

在现有的微发光二极管显示基板的巨量转移步骤中，通常是直接将多个微发光二极管单元直接转移至驱动基板，然后形成包裹微发光二极管单元的不透明封装层。现有的微发光二极管显示基板的边缘处，不透明封装层与驱动基板具有明显的界面，进而会导致潮气入侵，进而容易造成微发光二极管显示基板损坏。

发明内容

本发明的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法。

为实现上述目的，本发明提出的一种微发光二极管显示基板边缘处的微发光二极管转移方法，包括：

提供一生长衬底，在所述生长衬底上外延生长外延功能层；

对所述外延功能层进行刻蚀处理，以形成多个阵列排布的微发光二极管单元，将所述多个阵列排布的微发光二极管单元中位于所述生长衬底边缘处的一列微发光二极管单元定义为一列虚拟微发光二极管单元，其余的微发光二极管单元均为功能微发光二极管单元；

对每个所述虚拟微发光二极管单元进行刻蚀处理，以在每个所述虚拟微发光二极管单元中形成第一沟槽；

在每个所述第一沟槽中形成第一金属柱，在任意相邻两个所述虚拟微发光二极管单元之间形成第二金属柱，在每个所述功能微发光二极管单元上均形成一导电凸块；

提供一驱动衬底，将所述生长衬底上的所述虚拟微发光二极管单元和所述功能微发光二极管单元转移至所述驱动衬底的边缘区域，使得每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分嵌入到所述驱动衬底中，且使得每个所述功能微发光二极管单元上的所述导电凸块与所述驱动衬底中相应的像素电极电连接；

去除所述生长衬底，在所述驱动衬底上形成不透明封装层，所述不透明封装层包裹所述虚拟微发光二极管单元的侧面和所述功能微发光二极管单元的侧面；

接着在所述不透明封装层上形成公共电极层。

作为优选的技术方案，所述外延功能层包括自下向上依次层叠设置的N型半导体层、多量子阱有源功能层、P型半导体层和透明导电层。

作为优选的技术方案，通过湿法刻蚀工艺或干法刻蚀工艺形成所述第一沟槽，所述第一沟槽的深度超过所述虚拟微发光二极管单元的厚度。

作为优选的技术方案，所述第一金属柱和所述第二金属柱的材质是铜、铝、银、钛、镍中的一种或多种，所述第一金属柱和所述第二金属柱通过电镀、化学镀、化学气相沉积、磁控溅射或热蒸镀形成，所述导电凸块是锡凸块、铜凸块、银凸块、铟凸块以及铝凸块中的一种。

作为优选的技术方案，所述第二金属柱的高度小于所述第一金属柱的高度，使得所述第二金属柱的顶面与所述第一金属柱的顶面齐平。

作为优选的技术方案，所述驱动衬底的边缘处设置有凹槽，使得所述每个所述第一金属柱的一部分和每个所述第二金属柱的一部分分别嵌入到相应的所述凹槽中。

作为优选的技术方案，在所述不透明封装层上形成所述公共电极层之前，先对所述不透明封装层进行平坦化处理，以暴露所述第一金属柱，进而在形成所述公共电极层的过程中，使得所述公共电极层与所述第一金属柱连接。