[发明专利]含羟胺的稳定溶液、含羟胺的半导体清洗液、其制备方法及用途

权利要求书

1.一种含羟胺的稳定溶液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：

羟胺及其衍生物5-30份；

螯合剂1-5份；

葫芦脲及其衍生物5-20份。

2.根据权利要求1所述含羟胺的稳定溶液，其特征在于，所述羟胺及其衍生物为盐酸羟胺、硫酸羟胺、硝酸羟胺、羟胺、N-甲基羟胺、N,N-二甲基羟胺、N,N-二乙基羟胺，N-苯基羟胺和N-叔丁基羟胺中的一种或几种。

3.根据权利要求1所述含羟胺的稳定溶液，其特征在于，所述螯合剂为“爪形”螯合剂。

4.根据权利要求1所述含羟胺的稳定溶液，其特征在于，所述葫芦脲及其衍生物为葫芦[5]脲、葫芦[6]脲、葫芦[7]脲、葫芦[8]脲、单羟基葫芦[6]脲、单羟基葫芦[7]脲、全羟基葫芦[5]脲和全羟基葫芦[6]脲中的一种或多种。

5.一种制备权利要求1-4任意一项所述含羟胺的稳定溶液的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：按重量配比称取羟胺及其衍生物和葫芦脲及其衍生物，在室温下将二者搅拌1-2小时，作为前驱体；

步骤2：按重量配比向前驱体中加入螯合剂，搅拌得到含羟胺的稳定溶液。

6.一种权利要求1-4任意一项所述含羟胺的稳定溶液在半导体清洗或有机合成领域的用途。

7.一种含羟胺的半导体清洗液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：

权利要求1-4任意一项所述含羟胺的稳定溶液11-55份；

碱20-50份；

水溶性有机溶剂10-30份；

超纯水5-30份。

8.根据权利要求7所述含羟胺的半导体清洗液，其特征在于，所述碱为胺和/或醇胺。

9.一种权利要求7-8任意一项所述含羟胺的半导体清洗液的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：按重量配比称取羟胺及其衍生物和葫芦脲及其衍生物，在室温下将二者搅拌1-2小时，作为前驱体；

步骤2：按重量配比向所述前驱体中加入超纯水、螯合剂、碱和水溶性有机溶剂，充分搅拌使其混合均匀，得到均匀透明的半导体清洗液。

10.一种权利要求7-8任意一项所述含羟胺的半导体清洗液在半导体后段金属互联光刻胶及蚀刻后残留物清洗中的应用，其特征在于，所述清洗步骤如下：在60.5-80℃下，将经干法蚀刻后的基材浸泡在所述含羟胺的半导体清洗液中，或将所述含羟胺的半导体清洗液喷淋到基材上，继而使用异丙醇冲洗，超纯水冲洗，再用高纯氮气吹干，即完成蚀刻后残留物的清洗处理。